Descripción del proyecto
LAS TECNOLOGIAS DE LA INFORMACION COMO BIG DATA, INTERNET DE LAS COSAS, INTELIGENCIA ARTIFICIAL Y SISTEMAS AUTONOMOS SE ESTAN CONVIRTIENDO RAPIDAMENTE EN APLICACIONES CADA VEZ MAS UTILIZADAS, LO QUE CONLLEVA A REQUISITOS ENERGETICOS CADA VEZ MAYORES, EL CONSUMO DE ENERGIA PARA PROCESAR, MOSTRAR Y TRANSFERIR INFORMACION ALCANZO EL 9% DE LA PRODUCCION MUNDIAL DE ELECTRICIDAD EN 2012, MIENTRAS QUE LAS PERDIDAS DE ENERGIA, EN FORMA DE CALOR DISIPADO, REPRESENTAN ACTUALMENTE MAS DEL 50% DEL USO ENERGETICO EN MICROPROCESADORES, PARA SOSTENER TAL CRECIMIENTO, ES FUNDAMENTAL REDUCIR LA CARGA ENERGETICA DE LOS CIRCUITOS ELECTRONICOS, IMPLEMENTANDO TECNICAS DE GESTION TERMICA Y SUPERAR LOS ENORMES RETOS QUE PRESENTA LA MINIATURIZACION, LA ESPINTRONICA DONDE LA INFORMACION SE TRANSPORTA EN EL ESPIN ELECTRONICO EN LUGAR DE SU CARGA ES UNA TECNOLOGIA CLAVE PARA LA NANOELECTRONICA DE BAJO CONSUMO, HA TENIDO UN ENORME IMPACTO EN EL ALMACENAMIENTO DE INFORMACION Y LAS TECNOLOGIAS DE SENSORES, BRINDANDONOS MEMORIAS NO VOLATILES DE BAJA POTENCIA Y UNA VERSATILIDAD DE DETECCION DE CAMPOS MAGNETICOS SIN PRECEDENTES, SIN EMBARGO, LOS OBSTACULOS PARA SU IMPLEMENTACION GENERALIZADA SIGUEN SIENDO LA FIABILIDAD, LA DEGRADACION, LA VELOCIDAD DE ESCRITURA Y LA FUNCIONALIDAD LIMITADA DE LOS MATERIALES EMPLEADOS EN SU FABRICACION, EL GRAFENO Y OTROS MATERIALES BIDIMENSIONALES, INCLUIDOS LOS DICALCOGENUROS DE METALES DE TRANSICION, Y LOS AISLANTES TOPOLOGICOS, PODRIAN PERMITIR EL DESARROLLO DE TRANSISTORES DE CANAL ULTRAFINO EN ESPESOR Y LA CREACION DE NUEVOS DISPOSITIVOS PARA ESPINTRONICA, LA CAPACIDAD DE REDUCIR EL GROSOR DEL CANAL A UN SOLO ATOMO DARIA COMO RESULTADO UN MEJOR CONTROL DE PUERTA, RELAJANDO POR TANTO LOS REQUISITOS DE LOS DIELECTRICOS USADOS COMO MATERIAL DE PUERTA ASI COMO SUPRIMIENDO LOS EFECTOS DE CANAL CORTO, ADEMAS, EL DESARROLLO DE DISPOSITIVOS ESPINTRONICOS AYUDARIA A REDUCIR LA CARGA ENERGETICA Y SIMPLIFICARIA LA GESTION TERMICA EN CIRCUITOS INTEGRADOS, MIENTRAS QUE EL USO DE MATERIALES TERMOELECTRICOS ALTAMENTE EFICIENTES, COMO MUCHOS AISLANTES TOPOLOGICOS, ABRIRIA EL CAMINO PARA COMBINAR LA ELECTRONICA Y LA RECOLECCION DE ENERGIA EN LA MISMA ESTRUCTURA,EL PRINCIPAL OBJETIVO DE ESTE PROYECTO ES ESTUDIAR LAS APLICACIONES TECNOLOGICAS DE LOS MATERIALES BIDIMENSIONALES, UTILIZANDO LA NANOTECNOLOGIA PARA EL DESARROLLO DE MATERIALES Y HETEROESTRUCTURAS COMPLEJAS, INVESTIGAREMOS LA DINAMICA DE ESPIN Y LAS PROPIEDADES TERMOELECTRICAS CON UN ENFOQUE HACIA EL DESARROLLO DE NUEVAS FUNCIONALIDADES MEDIANTE LA FABRICACION DE HETEROESTRUCTURAS ARTIFICIALES QUE COMBINEN DISTINTOS MATERIALES 2D, LOS EXPERIMENTOS SE CENTRARAN EN EL ESTUDIO DE DEL TRANSPORTE ELECTRONICO, INCLUIDO EL ANALISIS DE LA ANISOTROPIA DE RELAJACION DE ESPIN, LA CONVERSION ENTRE CORRIENTES DE ESPIN Y DE CARGA, LA TERMOELECTRICIDAD Y LA RELAJACION DE LOS PORTADORES CALIENTES EN ESTOS SISTEMAS, CON TECNICAS DESARROLLADAS PREVIAMENTE EN NUESTRO GRUPO (NAT, COMMUN, 2016, NAT, PHYS, 2018, NAT, NANOTECHNOL, 2018), COMO RESULTADO, MEJORAREMOS NUESTRA COMPRENSION DE LOS EFECTOS DE PROXIMIDAD, LA INTERACCION ENTRE MATERIALES 2D Y LAS REACCIONES QUIMICAS CUANDO SE PONEN EN CONTACTO, FINALMENTE, EVALUAREMOS EL FUNCIONAMIENTO DE LOS DISPOSITIVOS FABRICADOS CON ESTOS MATERIALES, ENFOCANDONOS EN LAS PROPIEDADES Y GEOMETRIAS QUE PODRIAN SER RELEVANTES PARA APLICACIONES PRACTICAS, CON EL OBJETIVO FINAL DE ABRIR EL CAMINO A NUEVAS ARQUITECTURAS DE CIRCUITOS, ESPINTRONICA\MATERIALES BIDIMENSIONALES\AISLANTES TOPOLOGICOS\GRAFENO\HOT CARRIERS