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PID2020-114280RB-I00

Financiado

INGENIERIA CUANTICA PARA LA INTEGRACION DE CELULAS SOLARES III-V SOBRE SILICIO

ESTE PROYECTO PRETENDE AUNAR LA ALTA EFICIENCIA DE LAS CELULAS MULTI-UNION BASADAS EN COMPUESTOS SEMICONDUCTORES III-V CON EL BAJO COSTE ASOCIADO A LA INDUSTRIA DEL SI MEDIANTE EL DESARROLLO DE MATERIALES AVANZADOS SOBRE SUSTRATOS... ver más

01/01/2020

UAM

173K€

Presupuesto del proyecto: 173K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE MADRID No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3182

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2020-01-01

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Participantes

UAM

Lider

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE MADRID

Total investigadores 3182

Presupuesto del proyecto 173K€

Descripción del proyecto ESTE PROYECTO PRETENDE AUNAR LA ALTA EFICIENCIA DE LAS CELULAS MULTI-UNION BASADAS EN COMPUESTOS SEMICONDUCTORES III-V CON EL BAJO COSTE ASOCIADO A LA INDUSTRIA DEL SI MEDIANTE EL DESARROLLO DE MATERIALES AVANZADOS SOBRE SUSTRATOS DE SI. LA IDEA CENTRAL DEL PROYECTO CONSISTE EN EL USO DE NITRUROS DILUIDOS, EN PARTICULAR DE ALEACIONES SEMICONDUCTORAS DE GA(AS,P,N), EN FORMA DE SUPERREDES DE PERIODO CORTO COMO MATERIAL ABSORBENTE PARA LA FABRICACION MONOLITICA DE CELULAS SOLARES DE DOBLE UNION III-V/SI. EL SISTEMA DE MATERIALES ELEGIDO, GA(AS,P,N), ES IDEAL PARA ESTE PROPOSITO PORQUE ESTAS ALEACIONES PUEDEN FABRICARSE CON EL MISMO PARAMETRO DE RED QUE EL SI Y UNA ANCHURA DE BANDA PROHIBIDA (GAP) DE APROXIMADAMENTE 1.7 EV, VALOR OPTIMO PARA LA FABRICACION DE UNA CELULA SOLAR DE DOBLE UNION EN COMBINACION CON UNA CELULA DE SI. LAS ALEACIONES DE GA(AS,P,N) TIENEN, SIN EMBARGO, UNA PRONUNCIADA TENDENCIA A LA FORMACION DE DEFECTOS ESTRUCTURALES Y FLUCTUACIONES DE ALEACION. ESTO SE DEBE A LAS GRANDES DIFERENCIAS ENTRE LOS VALORES DE LOS RADIOS ATOMICOS, ELECTRONEGATIVIDADES Y ENERGIAS DE IONIZACION DE LOS TRES ANIONES CONSTITUYENTES. CON EL OBJETIVO DE MINIMIZAR LA FORMACION DE DEFECTOS EN ESTAS ALEACIONES, LA NOVEDOSA PROPUESTA DE ESTE PROYECTO CONSISTE EN LA FABRICACION DE ALEACIONES DE GA(AS,P,N) NO EN FORMA DE CAPAS GRUESAS (COMO SE HA HECHO HASTA AHORA), SINO EN FORMA DE SUPERREDES DE PERIODO CORTO (< 10 NM). DICHAS SUPERREDES CONSISTIRAN EN LA COMBINACION ALTERNATIVA Y PERIODICA DE CAPAS DE COMPUESTO TERNARIOS COMO EL GA(AS,P) Y EL GA (P,N), MATERIALES MAS SENCILLOS DE FABRICAR CON UNA ALTA CALIDAD CRISTALINA QUE LAS ALEACIONES CUATERNARIAS DE GA(AS,P,N). DEBIDO A QUE LAS SUPERREDES DE PERIODO CORTO TIENEN PROPIEDADES ELECTRONICAS UNICAS QUE SE ENCUENTRAN A MEDIO CAMINO ENTRE LAS DEL MATERIAL FABRICADO EN VOLUMEN (CON UNA COMPOSICION PROMEDIO ANALOGA A LA DE LA SUPERRED) Y LOS POZOS CUANTICOS MULTIPLES, LAS NOVEDOSAS ESTRUCTURAS DESARROLLADAS A LO LARGO DE ESTE PROYECTO NO SOLO TENDRAN UN MARCADO INTERES DESDE EL PUNTO DE VISTA DE LAS APLICACIONES FOTOVOLTAICAS SINO TAMBIEN A UN NIVEL MAS FUNDAMENTAL DENTRO DEL CAMPO DE LA FISICA DEL ESTADO SOLIDO. TRAS LA FABRICACION Y ANALISIS DE LAS SUPERREDES, EL PROYECTO CONCLUIRA CON LA FABRICACION, A NIVEL DE PRUEBA DE CONCEPTO, DE UNA CELULA SOLAR SOBRE SI EMPLEANDO COMO MATERIAL ABSORBENTE UNA SUPERRED DE PERIODO CORTO CON UNA ANCHURA DE BANDA PROHIBIDA DE 1.7 EV. PITAXIA\ELECTRONICA CUANTICACUAM\NANOELECTRONICA\CELULAS SOLARES\III-V SOBRE SI

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