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HYPNOTIC

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Hybrid Indium Phosphide on Silicon nanophotonics for ultimate laser diodes flip...

Hybrid Indium Phosphide on Silicon nanophotonics for ultimate laser diodes flip flops and memories The HYPNOTIC project aims at achieving a breakthrough in Silicon laser science and technology by taking forward the III-V semiconductors on Silicon hybrid technology into the nanophotonic world to make the dream of the convergence... ver más

30/09/2023

CNRS

2M€

Presupuesto del proyecto: 2M€

Líder del proyecto

CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Ver 4 Participantes

Financiación concedida El organismo H2020 notifico la concesión del proyecto el día 2023-09-30

ERC-2016-COG: ERC Consolidator Grant

I+D

Cerrada hace 8 años

0% 100% 100%

Información adicional privada

No hay información privada compartida para este proyecto. Habla con el coordinador.

4 Participantes

CNRS

1.98M€ | Lider

STE PACKAGING ENGINEERING

UNIVERSITE COTE DAZUR

N.D. | Participante

UPCité

N.D. | Participante

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Duración del proyecto: 78 meses Fecha Inicio: 2017-03-13
Fecha Fin: 2023-09-30

Líder del proyecto

CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5

Presupuesto del proyecto 2M€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto The HYPNOTIC project aims at achieving a breakthrough in Silicon laser science and technology by taking forward the III-V semiconductors on Silicon hybrid technology into the nanophotonic world to make the dream of the convergence of microelectronics and photonics on a chip come true. This project intends to take up the challenge of bringing to reality electrically powered photonic crystal nanolasers as reference sources for dense integration and logical processing in a Silicon-based optical platform by accomplishing: (i) power efficiency with extremely low activation energies of few fJ, (ii) high bandwidth beyond 40Gbits/s, (iii) compactness with footprints less than 100µm² for high integration density of 103-104 of devices per mm2. A paradigm change will be brought to Silicon photonics by laying down 3 corner stones which consist firstly in the realisation of ultimate nanolaser diode sources at telecom wavelengths using an optimised single hybrid active nanocavity. Secondly, the groundbreaking atomic physics concepts of superradiance and lasing without inversion of population resonators will be transposed to nanophotonics by coupling several active nanocavities. Besides studying them for their fundamental interest, the project will capitalise on them to drastically augment the power efficiency and the modulation bandwidth of the nanosources. Finally, the fabricated nanolaser diodes using these novel concepts will be exploited to demonstrate cutting-edge flip-flop and memory devices able to surpass current off-chip electronic random access memories in access times and bandwidth which could enable unprecedented computational power.

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