Hola,
¿eres nuevo aquí?

Regístrate gratis y conecta tu empresa con financiación pública, partners y proyectos.

Tengo cuenta

Regístrate

Ver video

RAINBOW

Financiado

Cerrado

High quality Material and intrinsic Properties of InN and indium rich Nitride Al...

High quality Material and intrinsic Properties of InN and indium rich Nitride Alloys The RAINBOW ITN Indium nitride is a new narrow gap semiconductor (<0.7 eV), which alloys with GaN (3.5 eV) and AlN (6.2 eV) will allow the spectral range from telecom to hard UV wavelengths to be covered. This narrow band gap makes InN an excitin... ver más

30/09/2012

CNRS

5M€

Presupuesto del proyecto: 5M€

Líder del proyecto

CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Ver 14 Participantes

Financiación concedida El organismo FP7 notifico la concesión del proyecto el día 2012-09-30 No tenemos la información de la convocatoria

0% 100% 100%

Características del participante

Este proyecto no cuenta con búsquedas de partenariado abiertas en este momento.

Información adicional privada

No hay información privada compartida para este proyecto. Habla con el coordinador.

14 Participantes

CNRS

0.00€ | Lider

UNIVERSITY OF STRATHCLYDE

N.D. | Participante

INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKA...

N.D. | Participante

Conecta tu I+D

¿Tienes un proyecto y buscas un partner? Gracias a nuestro motor inteligente podemos recomendarte los mejores socios y ponerte en contacto con ellos. Te lo explicamos en este video

Líder del proyecto

CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5

Presupuesto del proyecto 5M€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto Indium nitride is a new narrow gap semiconductor (<0.7 eV), which alloys with GaN (3.5 eV) and AlN (6.2 eV) will allow the spectral range from telecom to hard UV wavelengths to be covered. This narrow band gap makes InN an exciting material from which to develop highest efficiency solar cells. Moreover, due to an electron mobility of around 4000 cm2/Vs and very high saturation velocities, InN is an ideal material for the development of high electron mobility devices capable of operating in the Terahertz range. To ensure the production of reliable commercial devices, rigorous fundamental research is required to understand the layer growth mechanisms and optimize material properties. In RAINBOW, academic and industrial consortium, the theoretical work will encompass modelling of the atomic structure and properties of the material from empirical potentials to ab initio techniques. Experiments will provide correlated structural, electronic, optical and chemical information from the nano to the macroscopic scale. In a closely concerted effort, we will determine the best conditions for the growth of highest quality InN and In rich (In,Ga,Al)N alloys by the main growth techniques (MOVPE, PAMBE,HVPE ). Under the supervision of world leading experts, numerous young researchers will directly benefit from this interdisciplinary and multisectorial research and training effort. The young researchers involved in this programme will also learn to manage research and industrial projects.

Conecta tu I+D

Entra hoy

¿Olvidó su contraseña?

Financiación

Empresas

CTIs/Universidades

Proyectos

Investigadores