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TEC2014-59402-JIN

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ESCALADO Y VARIABILIDAD DE TRANSISTORES TUNEL DE EFECTO CAMPO 3D BASADOS EN NANO...

ESCALADO Y VARIABILIDAD DE TRANSISTORES TUNEL DE EFECTO CAMPO 3D BASADOS EN NANOHILOS USANDO SI, GE Y MATERIALES III-V LA IP DE ESTE PROJECTO ES EN LA ACTUALIDAD UNA INVESTIGADORA MARIE CURIE IEF EN LA UNIVERSIDAD DE SWANSEA (UK), ESTE PROYECTO POSEE UN CARACTER MULTIDISCIPLINAR, INCORPORANDO LA NANOELECTRONICA Y LA CIENCIA DE LA COMPUTACION Y TEC... ver más

01/01/2014

USC

206K€

Presupuesto del proyecto: 206K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE SANTIAGO DE COMPOSTELA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 238

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2014-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Características del participante

Este proyecto no cuenta con búsquedas de partenariado abiertas en este momento.

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Participantes

USC

Lider

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE SANTIAGO DE COMPOSTELA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 238

Presupuesto del proyecto 206K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto LA IP DE ESTE PROJECTO ES EN LA ACTUALIDAD UNA INVESTIGADORA MARIE CURIE IEF EN LA UNIVERSIDAD DE SWANSEA (UK), ESTE PROYECTO POSEE UN CARACTER MULTIDISCIPLINAR, INCORPORANDO LA NANOELECTRONICA Y LA CIENCIA DE LA COMPUTACION Y TECNOLOGIAS DE LA INFORMACION EN SUS ESTADOS MAS ACTUALES, LOS OBJETIVOS SE CLASIFICAN EN TRES AREAS:1, MODELADO 3D DE TRANSISTORES TUNEL DE EFECTO CAMPO USANDO NANOHILOS A TRAVES DE LOS METODOS DE ARRASTRE-DIFUSION Y MONTE CARLOLOS DISPOSITIVOS TUNEL DE EFECTO CAMPO (TFETS) SE ESTAN INVESTIGANDO COMO POSIBLES CANDIDATOS PARA REEMPLAZAR A LOS DISPOSITIVOS MOSFET CONVENCIONALES PARA APLICACIONES A POTENCIA ULTRA BAJA A CAUSA DE SU PEQUEÑA PENDIENTE SUB-UMBRAL Y DE SU REDUCIDA CORRIENTE DE FUGA, LO QUE HACE POSIBLE UN ESCALADO AGRESIVO DE LA TENSION DE ALIMENTACION, SIN EMBARGO, UN DESAFIO ASOCIADO CON ESTOS DISPOSITIVOS ES SU LIMITADO RENDIMIENTO Y SU BAJA CORRIENTE EN LA ZONA ON, PARA ALCANZAR ALTAS PROBABILIDADES TUNEL, SERIA BENEFICIOSO UTILIZAR HETEROUNIONES Y NUEVAS ARQUITECTURAS, COMO PUEDEN SER LOS NANOHILOS (NW), EN ESTE PROYECTO INICIALMENTE INVESTIGAREMOS UN DISPOSITIVO NW TFET CUYA ARQUITECTURA SEGUIRA LOS DISEÑOS PROPORCIONADOS POR IBM ZURICH, A CONTINUACION, SE EXAMINARAN DIFERENTES COMBINACIONES PARA LOS MATERIALES QUE FORMAN EL CANAL, DRENADOR Y FUENTE DEL DISPOSITIVO Y LA ARQUITECTURA OPTIMA SERA ESCALADA A OTROS NODOS TECNOLOGICOS PARA EVALUAR SU RENDIMIENTO Y ESCALABILIDAD, PARA MODELAR CORRECTAMENTE ESTOS DISPOSITIVOS ES OBLIGATORIO EL USO DE SIMULADORES TRIDIMENSIONALES, POR ESTA RAZON EN EL PROYECTO UTILIZAREMOS HERRAMIENTAS 3D DE SIMULACION DE DISPOSITIVOS CON RESOLUCION ATOMISTICA COMO SIMULADORES DE ARRASTRE-DIFUSION Y MONTE CARLO CON CORRECCIONES CUANTICAS, AMBOS SIMULADORES ESTAN BASADOS EN EL METODO DE ELEMENTOS FINITOS,2, ESTUDIO DE LA INFLUENCIA DE DIFERENTES FUENTES DE FLUCTUACIONES EN EL RENDIMIENTO DE NW TFETSEL EFECTO DE LA VARIABILIDAD QUE AFECTA A LAS CARACTERISTICAS DE LOS DISPOSITIVOS ES CADA VEZ MAYOR, CONVIRTIENDOSE EN UNO DE LOS PRINCIPALES DESAFIOS PARA EL ESCALADO Y LA INTEGRACION DE TANTO LA GENERACION ACTUAL DE DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS COMO DE LA PROXIMA, POR LO TANTO, ESTUDIAREMOS EL IMPACTO QUE DIFERENTES FUENTES DE FLUCTUACIONES TIENEN EN EL COMPORTAMIENTO DE LOS DISPOSITIVOS CON EL OBJETIVO DE IDENTIFICAR LOS DISEÑOS, MATERIALES Y ARQUITECTURAS MENOS SENSIBLES A LA VARIABILIDAD, LAS SIGUIENTES FUENTES DE VARIABILIDAD SON LAS MAS CRITICAS EN EL ESTUDIO DE NW TFETS: RUGOSIDAD DE LA INTERFAZ, CARGA EN LA INTERFAZ, DOPANTES ALEATORIOS Y RUGOSIDAD DE LA INTERFAZ III-V/SI 3, OPTIMIZACION DE ALGORITMOS NUMERICOS, PORTABILIDAD A NUEVAS INFRAESTRUCTURAS Y DESARROLLO DE HERRAMIENTAS PARA EL MANEJO DE LOS DATOS PARA ANALIZAR EL IMPACTO QUE DIFERENTES FUENTES DE VARIABILIDAD TIENEN EN EL COMPORTAMIENTO DE LOS NW TFETS ES NECESARIO REALIZAR ANALISIS ESTADISTICOS QUE REQUIEREN LA SIMULACION DE UN GRAN NUMERO DE DISPOSITIVOS, AUMENTANDO EL COSTE COMPUTACIONAL, POR LO TANTO, ES ESENCIAL EL USO DE ALGORITMOS NUMERICOS EFICIENTES, ESTA PARTE DEL PROYECTO ESTA BASADA EN DOS OBJETIVOS: I) LA REDUCCION DEL TIEMPO DE EJECUCION A TRAVES DE LA OPTIMIZACION DE LOS ALGORITMOS NUMERICOS UTILIZADOS EN LA SIMULACION Y SU IMPLEMENTACION EN DIFERENTES INFRAESTRUCTURAS COMPUTACIONALES Y II) LA GESTION EFICIENTE DE LOS DATOS GENERADOS A TRAVES DE LA IMPLEMENTACION DE UN GESTOR PARA EL ENVIO Y LA RECEPCION DE LOS DATOS DE VARIABILIDAD USANDO SISTEMAS COMPUTACIONALES HETEROGENEOS, SIMULACIÓN TRIDIMENSIONAL\TRANSISTORES FET DE EFECTO TÚNEL\MATERIALES III-V\SI\GE\VARIABILIDAD

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