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MAT2010-16157

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DISPOSITIVOS TERMOELECTRICOS BASADOS EN NANOESTRUCTURAS DE SISTEMAS ELECTRONICOS...

DISPOSITIVOS TERMOELECTRICOS BASADOS EN NANOESTRUCTURAS DE SISTEMAS ELECTRONICOS ALTAMENTE CORRELACIONADOS LOS MATERIALES TERMOELECTRICOS TRANSFORMAN ENERGIA TERMICA EN ELECTRICA Y VICEVERSA, LOS METODOS EMPLEADOS ACTUALMENTE EN LA OPTIMIZACION DE LOS SISTEMAS TERMOELECTRICOS SE BASAN EN LA MEJORA DE ALEACIONES CLASICAS DE LA FAMILIA B... ver más

01/01/2010

USC

133K€

Presupuesto del proyecto: 133K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE SANTIAGO DE COMPOSTELA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 237

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2010-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Características del participante

Este proyecto no cuenta con búsquedas de partenariado abiertas en este momento.

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Participantes

USC

Lider

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE SANTIAGO DE COMPOSTELA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 237

Presupuesto del proyecto 133K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto LOS MATERIALES TERMOELECTRICOS TRANSFORMAN ENERGIA TERMICA EN ELECTRICA Y VICEVERSA, LOS METODOS EMPLEADOS ACTUALMENTE EN LA OPTIMIZACION DE LOS SISTEMAS TERMOELECTRICOS SE BASAN EN LA MEJORA DE ALEACIONES CLASICAS DE LA FAMILIA BI2TE3, O UTILIZANDO OTROS SISTEMAS QUE EXPLOTAN EL CONCEPTO DE VIDRIO (CRISTAL) FONONICO (ELECTRONICO), COMO LAS SKUTERUDITAS, ETC, AMBAS APROXIMACIONES TRATAN DE MAXIMIZAR LA FIGURA DE MERITO Z=S^2/RK (S ES EL PODER TERMOELECTRICO, R; Y K SON LA RESISTIVIDAD ELECTRICA Y LA CONDUCTIVIDAD TERMICA, RESPECTIVAMENTE) REDUCIENDO LA CONDUCTIVIDAD TERMICA, SIN EMBARGO, LOS VALORES DE CONDUCTIVIDAD TERMICA EN ALEACIONES DE SEMICONDUCTORES DEGENERADOS HAN ALCANZADO SU LIMITE INFERIOR, IMPUESTO POR LA DISTANCIA INTERATOMICA AL CAMINO LIBRE MEDIO DE LOS FONONES, POR LO TANTO, SE HACE NECESARIA UNA NUEVA RUTA PARA EL DISEÑO DE DISPOSITIVOS TERMOELECTRICOS COMPETITIVOS, ESTE PROYECTO PROPONE UNA ESTRATEGIA INNOVADORA PARA LO OPTIMIZACION DE Z, A TRAVES DE LA COMBINACION DE LAS PROPIEDADES INTRINSECAS DE SISTEMAS ELECTRONICOS FUERTEMENTE CORRELACIONADOS (SCES) CON UN DISEÑO NANOESTRUCTURADO, PROPONEMOS DOS ESTRATEGIAS PARA ESTE FIN:I) FABRICACION DE MATERIALES COMPUESTOS A PARTIR DE NANOPARTICULAS DE SCES DISPERSAS EN MATRICES TRIDIMENSIONALES, LA UTILIZACION DE SCES ESTA JUSTIFICADA POR LA POSIBILIDAD DE MANIPULAR DE FORMA INDEPENDIENTE EL PODER TERMOELECTRICO Y LA RESISTIVIDAD ELECTRICA EN ESTOS SISTEMAS, QUE SE APROVECHARA PARA OPTIMIZAR EL FACTOR DE POTENCIA (S^2/R), ESTE EFECTO SERA COMBINADO CON LA REDUCCION DE LA CONDUCTIVIDAD TERMICA DEBIDO A LA DISPERSION DE FONONES EN LA INTERFASE NANOPARTICULA-MATRIZ,II) SINTESIS QUIMICA DE PELICULAS DELGADAS (2D) Y MULTICAPAS BASADAS EN SCES CON UN FACTOR DE POTENCIA PREVIAMENTE OPTIMIZADO, A LA OPTIMIZACION DEL FACTOR DE POTENCIA PROPIA DEL SCES, SE AÑADE AQUI EL EFECTO DE CONFINAMIENTO CUANTICO ASOCIADO A LA REDUCCION DE LA DIMENSIONALIDAD EFECTIVA DEL SISTEMA, LO QUE DEBERIA PRODUCIR UN AUMENTO EN EL PODER TERMOELECTRICO Y UN IMPORTANTE DESCENSO DE LA CONDUCTIVIDAD TERMICA (DISPERSION EN LA INTERFASE), ADEMAS, LA REDUCCION DE LA DIMENSIONALIDAD EFECTIVA PROPORCIONA OTRA VIA PARA LA MANIPULACION INDEPENDIENTE DE S Y R EN LA OPTIMIZACION DE Z,POR LO TANTO, ESTE PROYECTO PRESENTA DOS ESTRATEGIAS INNOVADORAS PARA OPTIMIZAR LA FIGURA DE MERITO DE SISTEMAS TERMOELECTRICOS, MEDIANTE LA COMBINACION DE LAS PROPIEDADES INTRINSECAS RESULTANTES DE LAS FUERTES CORRELACIONES ELECTRONICAS Y UNA CONFIGURACION NANOESTRUCTURADA,

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