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DPI2013-47176-C2-2-R

Financiado

DISEÑO OPTIMO Y MODULAR DE CONVERTIDORES PARA UNA NANO-RED DE CONTINUA

EL SUBPROYECTO DOC-ANRI ES UNO DE LOS 2 SUBPROYECTOS DE LOS QUE CONSTA EL PROYECTO ANRI, EN EL PROYECTO ANRI SE PRETENDE, COMO OBJETIVO GENERICO, CONTRIBUIR AL DESARROLLO DE SOLUCIONES INTEGRADAS EN NANO-REDES INTELIGENTES EN CORR... ver más

01/01/2013

UNIOVI

127K€

Presupuesto del proyecto: 127K€

Líder del proyecto

Universidad de Oviedo No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 789

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2013-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Líder del proyecto

Universidad de Oviedo No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 789

Presupuesto del proyecto 127K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto EL SUBPROYECTO DOC-ANRI ES UNO DE LOS 2 SUBPROYECTOS DE LOS QUE CONSTA EL PROYECTO ANRI, EN EL PROYECTO ANRI SE PRETENDE, COMO OBJETIVO GENERICO, CONTRIBUIR AL DESARROLLO DE SOLUCIONES INTEGRADAS EN NANO-REDES INTELIGENTES EN CORRIENTE CONTINUA QUE PERMITAN SATISFACER LA FUNCIONALIDAD Y EL CONFORT DESEADO EN LA UTILIZACION DE LA ENERGIA ELECTRICA, EN CONDICIONES LO MAS CERCANAS POSIBLES A LA EMISION CERO DE GASES DE EFECTO INVERNADERO, SE JUSTIFICA POR LA PROLIFERACION DE FUENTES DE ENERGIA RENOVABLES DISTRIBUIDAS QUE HAN SURGIDO EN LOS ULTIMOS AÑOS, LO QUE HA GENERADO NUEVOS RETOS EN LA ESTRUCTURA DE LAS REDES DE ENERGIA ELECTRICA Y EN SU GESTION EFICIENTE, EN EL CASO DEL SUBPROYECTO DOC-ANRI, SE TRATA DE ELEGIR, DISEÑAR Y CONSTRUIR CONVERTIDORES ELECTRONICOS DE POTENCIA QUE PERMITAN OBTENER LAS MEJORES PRESTACIONES POSIBLES DE LAS NANO-REDES DE CORRIENTE CONTINUA OBJETO DEL PROYECTO ANRI, AUNQUE EN UNA NANO-RED DE CONTINUA PUEDEN EXISTIR MULTITUD DE TIPOS DE CONVERTIDORES (ALGUNOS INTEGRADOS EN LAS PROPIAS CARGAS Y/O GENERADORES), SE HAN SELECCIONADO 4 TIPOS EN TOTAL PARA FORMAR PARTE DE LA NANO-RED QUE SE CONSTRUIRA:A) CONVERTIDOR CA/CC DE ENTRADA A LA NANO-RED, DE 230 V DE TENSION TRIFASICA (DE FASE) Y SALIDA A TENSION CONTINUA DE 380 V, BIDIRECCIONAL, CON AISLAMIENTO GALVANICO Y CON ALTO FACTOR DE POTENCIA A LA ENTRADA, B) CONVERTIDOR CC/CC 1, QUE SERA BIDIRECCIONAL, CON AISLAMIENTO GALVANICO Y CON ENTRADA EN 380 V Y SALIDA EN 48 V, SU MISION ES CONECTAR LOS DOS BUSES DE CONTINUA DE LA NANO-RED,C) CONVERTIDOR CC/CC 2, QUE SERA BIDIRECCIONAL, SIN AISLAMIENTO GALVANICO Y CON ENTRADA Y SALIDA A TENSIONES SEMEJANTES (380 V APROXIMADAMENTE), SU MISION ES CONECTAR EL BUS DE ALTA TENSION (380 V) CON UNA BATERIA DE ALTA TENSION (CERCANA A 380 V), D) CONVERTIDOR CC/CC 3, QUE SERA BIDIRECCIONAL, SIN AISLAMIENTO GALVANICO Y CON ENTRADA Y SALIDA A TENSIONES SEMEJANTES (48 V APROXIMADAMENTE), SU MISION ES CONECTAR EL BUS DE BAJA TENSION (48 V) CON UNA BATERIA DE BAJA TENSION (CERCANA A 48V), EL CONVERTIDOR CA/CC SE ADQUIRIRA DE ENTRE LOS QUE, EXISTIENDO COMERCIALMENTE, PUEDAN ADAPTARSE AL CONTROL FLEXIBLE QUE LA NANO-RED IMPONDRA, LA TECNOLOGIA DE SUS TRANSISTORES DE POTENCIA SERA CONVENCIONAL (PROBABLEMENTE MOSFETS O IGBTS DE SILICIO), SIN EMBARGO, LOS TRES TIPOS DISTINTOS DE CONVERTIDORES CC/CC CORRESPONDERAN A TOPOLOGIAS DE POTENCIA EXPRESAMENTE DESARROLLADAS Y OPTIMIZADAS PARA OPERAR EN LA NANO-RED, ADEMAS, SE QUIERE APROVECHAR LA OPORTUNIDAD DE REALIZAR UN DISEÑO A MEDIDA DE ESTOS CONVERTIDORES PARA QUE INCORPOREN DISPOSITIVOS DE POTENCIA DE BANDA PROHIBIDA ANCHA, EN PARTICULAR DE CARBURO DE SILICIO (SIC) Y DE NITRURO DE GALIO (GAN), AUNQUE LOS TRANSISTORES DE POTENCIA DE SIC Y GAN PRESENTAN UN GRADO DE MADUREZ NO OPTIMO COMPARADO CON SUS POTENCIALIDADES Y UN PRECIO CLARAMENTE SUPERIOR A LOS MAS PROXIMOS EN SILICIO, SUS CUALIDADES DE VELOCIDAD DE CONMUTACION Y DE OPERACION EN ALTA TENSION (EN EL CASO DEL SIC) LES HACEN ESPECIALMENTE ATRACTIVOS PARA EL FUTURO, CON LOS DISPOSITIVOS ACTUALES DE SIC (JFETS "NORMALMENTE CERRADOS" Y MOSFETS) Y GAN (HEMTS "NORMALMENTE CERRADOS Y NORMALMENTE ABIERTOS") SE PUEDEN CONSTRUIR CONVERTIDORES MAS RAPIDOS (A FRECUENCIAS DE CONMUTACION 5-10 VECES MAYORES QUE CON DISPOSITIVOS DE SILICIO), OBTENIENDO RENDIMIENTOS SEMEJANTES, ESTE INCREMENTO DE LA FRECUENCIA DE CONMUTACION PERMITIRA MEJORAR NOTABLEMENTE LA RESPUESTA DINAMICA DE LOS CONVERTIDORES EN LA NANO-RED Y REDUCIR SU TAMAÑO, NANO-REDES DE CONTINUA\ CONVERTIDORES CC/CC\ DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCI\ DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCI

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