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Development of radiation sensors based on stacked RADFET technology

"Tyndall National Institute is a world leader in research, development, and commercialisation of Radiation Field Effect Transistor (RADFET) technology. RADFET is essentially a p-channel MOSFET optimised for radiation sensing. We h... ver más

31/08/2013

UCC

133K€

Presupuesto del proyecto: 133K€

Líder del proyecto

UNIVERSITY COLLEGE CORK NATIONAL UNIVERSITY... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo FP7 notifico la concesión del proyecto el día 2013-08-31 No tenemos la información de la convocatoria

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Líder del proyecto

UNIVERSITY COLLEGE CORK NATIONAL UNIVERSITY... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5

Presupuesto del proyecto 133K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto "Tyndall National Institute is a world leader in research, development, and commercialisation of Radiation Field Effect Transistor (RADFET) technology. RADFET is essentially a p-channel MOSFET optimised for radiation sensing. We have developed the RADFETs for applications in space, high energy physics laboratories, and radiotherapy clinics. The promising application/market segment of personal dosimetry is currently out of reach of standard RADFET technology owing to its insufficient sensitivity for this application. However, we have recently developed a so called stacked RADFET concept which increases the sensitivity of a standard technology by 2-3 orders of magnitude and potentially brings it to the ranges required in personal dosimetry. We have recently completed the preparatory work and secured funding to actively pursue this topic starting from early 2012. Tyndall would greatly benefit from additional experienced researcher working on the crucial aspects of a dedicated stacked RADFET development project. We have identified a researcher with the ideal background to perform this work and in the process receive training and enhance his experience in the multidisciplinary set of skills, including fabrication process/device simulations, semiconductor manufacturing, electrical characterisation techniques for the RADFETs, analysis of basic mechanisms of radiation-induced defects, and administrative/technical management of the EU projects."

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