Descripción del proyecto
EN ESTE SUBPROYECTO SE VA A DISEÑAR, FABRICAR Y CARACTERIZAR UN RECEPTOR MULTIPIXEL BASADO EN KIDS (KINETIC INDUCTACE DETECTORS) QUE PERMITA MEDIR LA POLARIZACION DEL FONDO COSMICO DE MICROONDAS (FCM) CON GRAN SENSIBILIDAD EN LA BANDA DE FRECUENCIAS DESDE 50 HASTA 150 GHZ, PARA OPERAR TANTO DESDE TIERRA COMO DESDE ESPACIO, EL PUNTO DE PARTIDA ES EL DISEÑO Y FABRICACION DE LOS KIDS, ASI COMO DEL DESARROLLO DE LAS ANTENAS PARA EL ACOPLO A LOS DETECTORES EN LA FRECUENCIA DE 90 GHZ, DONDE YA HAN DEMOSTRADO TENER UNA BUENA SENSIBILIDAD, UNO DE LOS RETOS DE ESTE PROYECTO CONSISTE EN LA DETECCION SEPARADA DE LAS DOS POLARIZACIONES ORTOGONALES, PARA LO CUAL SE CONSIDERARAN DOS TIPOS BASICOS DE ANTENAS: BOCINAS Y LENTES, CUYOS DISEÑOS ESTARAN ESTRECHAMENTE LIGADOS AL PROPIO DISEÑO DEL KID, UN SEGUNDO RETO DE ESTE PROYECTO CONSISTE EN TRASLADAR LOS DISEÑOS DESARROLLADOS A FRECUENCIAS MAS BAJAS, 60 GHZ, FRECUENCIAS A LAS QUE NO SE HA DEMOSTRADO TENER BUENA SENSIBILIDAD, POR PARTE DE LOS DETECTORES KIDS, HASTA EL MOMENTO, UN OBJETIVO INICIAL ES DESARROLLAR 100 PIXELS A 90 GHZ Y 18 PIXELS A 60 GHZ, DURANTE EL DESARROLLO DEL PROYECTO Y PARALELAMENTE AL PROCESO DE DISEÑO, SE PONDRAN EN MARCHA LOS SISTEMAS DE MEDIDA DE LOS KIDS TANTO A TEMPERATURA AMBIENTE COMO EN CRIOGENIA, LAS MEDIDAS EN TEMPERATURA AMBIENTE SE REALIZARAN EN LAS INSTALACIONES DEL DEPARTAMENTO DE INGENIERIA DE COMUNICACIONES (DICOM), MIENTRAS QUE LAS MEDIDAS EN TEMPERATURA CRIOGENICA SE REALIZARAN EN LAS INSTALACIONES DEL CENTRO DE ASTROBIOLOGIA (CAB), UNA SEGUNDA LINEA DE TRABAJO DE ESTE PROYECTO CONSISTE EN EL DESARROLLO DE AMPLIFICADORES DE MUY BAJO RUIDO (LNA) BASADOS EN DISPOSITIVOS DE ESTADO SOLIDO, EN LA ETAPA DE READ-OUT DE LOS DETECTORES BASADOS EN KIDS, SE REQUIEREN AMPLIFICADORES DE MUY BAJO RUIDO ENFRIADOS A TEMPERATURAS CRIOGENICAS, SE PROPONE DISEÑAR Y FABRICAR AMPLIFICADORES PARA ESTA ETAPA, BASADOS EN TECNOLOGIA DE SILICIO GERMANIO (SIGE) UTILIZANDO FUNDICIONES EUROPEAS, QUE ESTAN DEMOSTRANDO SER COMPETITIVOS EN TERMINOS DE COSTE Y RUIDO FRENTE A LAS TECNOLOGIAS TRADICIONALES BASADAS EN SEMICONDUCTORES III-V, ADEMAS SE PROPONE DISEÑAR Y FABRICAR LNAS CON TECNOLOGIA HEMT (HIGHT ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR) DE FOSFURO DE INDIO (INP) Y CON TECNOLOGIA HBT (HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR) DE SIGE, LAS BANDAS DE FRECUENCIA DE ESTOS LNAS SERAN LA BANDA W (75-110GHZ) Y LA BANDA D (110-170 GHZ), EN AMBAS BANDAS DE FRECUENCIA EXISTEN VENTANAS DE OBSERVACION DESDE TIERRA PARA APLICACIONES DE RADIOASTRONOMIA, SIENDO ADEMAS VALIDOS PARA INSTRUMENTOS EN FUTURAS MISIONES ESPACIALES, POR OTRO LADO, EXISTE UN GRAN INTERES EN ESTAS BANDAS DE FRECUENCIA PARA SISTEMAS DE IMAGEN DE DETECCION DIRECTA EN APLICACIONES DE SEGURIDAD, COSMOLOGÍA\UNIVERSO PRIMIGENIO\CMB\POLARIZACIÓN\MICROONDAS\RECEPTORES\KID\SATÉLITE\SEGURIDAD