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MAT2017-88377-C2-2-R

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DETECCION Y CONTROL DE SPIN EN HETEROSTRUCTURAS VAN DER WAALS PARA EL DISEÑO DE...

DETECCION Y CONTROL DE SPIN EN HETEROSTRUCTURAS VAN DER WAALS PARA EL DISEÑO DE DISPOSITIVOS SPINTRONICOS. LA CONFIRMACION EXPERIMENTAL DE LA EXISTENCIA DE AISLANTES TOPOLOGICOS BI-DIMENSIONALES (2D-TI) - MATERIALES QUE PRESENTAN LA PECULIAR PROPIEDAD DE SER AISLANTES EN SU CENTRO PERO CONDUCTORES EN EL BORDE - EN 2007, ABRIO NUEVAS PO... ver más

01/01/2017

Presupuesto desconocido

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE ALICANTE No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 1052

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2017-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE ALICANTE No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 1052

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto LA CONFIRMACION EXPERIMENTAL DE LA EXISTENCIA DE AISLANTES TOPOLOGICOS BI-DIMENSIONALES (2D-TI) - MATERIALES QUE PRESENTAN LA PECULIAR PROPIEDAD DE SER AISLANTES EN SU CENTRO PERO CONDUCTORES EN EL BORDE - EN 2007, ABRIO NUEVAS POSIBILIDADES EN LA REALIZACION DE DISPOSITIVOS PARA ESPINTRONICA E INFORMACION CUANTICA QUE SERAN MUCHO MAS POTENTES QUE NUESTRAS ACTUALES COMPUTADORAS, LA APLICABILIDAD SINGULAR DE LOS AISLANTES TOPOLOGICOS EN LA CREACION DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SE BASA EN EL HECHO DE QUE LA CONDUCCION ELECTRICA OCURRE EXCLUSIVAMENTE EN EL BORDE DEL MATERIAL, A TRAVES DE CANALES CUANTICOS DONDE NO HAY DISPERSION Y LA CORRIENTE ESTA ADEMAS POLARIZADA EN SPIN, ESTAS DOS PROPIEDADES SON CRUCIALES PARA EL DESARROLLO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SIN DISIPACION BASADOS EN LA DETECCION Y MANIPULACION DE LAS PROPIEDADES DE SPIN DE LA CORRIENTE,LA REALIZACION PRACTICA DE ESTOS DISPOSITIVOS, CONTINUA SIN EMBARGO, SIENDO UN RETO AUN NO RESUELTO, DICHA REALIZACION PRACTICA DE LAS PROPUESTAS TEORICAS HA SIDO RETRASADA POR DIFICULTADES TECNICAS (PROCESOS DE CRECIMIENTO Y FABRICACION COMPLEJOS), QUE HAN RESULTADO EN QUE LOS MATERIALES DISPONIBLES SEAN ESCASOS Y A MENUDO POCO ADECUADOS PARA LA PRUEBA RAPIDA DE DISPOSITIVOS, EL RECIENTE DESCUBRIMIENTO DE FASES TOPOLOGICAS EN DICALCOGENUROS DE METALES DE TRANSICION (TMDS), COMO EL CASO DE 1T-WTE2, ABRE LA POSIBILIDAD DE REALIZAR HETEROESTRUCTURAS VAN DER WAALS DE ESTOS MATERIALES, ESTA ES UNA POTENTE HERRAMIENTA PARA FABRICAR MULTICAPAS HIBRIDAS QUE PUEDAN UTILIZARSE PARA DISPOSITIVOS ELECTRONICOS DE ALTO RENDIMIENTO Y APLICACIONES EN INFORMACION CUANTICA,EL OBJETIVO FINAL DE ESTA PROPUESTA ES EL DISEÑO Y FABRICACION DE UN DISPOSITIVO ESPINTRONICO BASADO EN MATERIALES BIDIMENSIONALES, ESTE PROCESO DE DISEÑO Y FABRICACION DE HETEROESTRUCTURAS SEGUIRA UNA ESTRATEGIA EN DOS PASOS: EL DESARROLLO DE PROTOCOLOS DE SINTESIS DE HETEROESTRUCTURAS HIBRIDAS DE ALTA PUREZA Y CALIDAD, Y LA CARACTERIZACION DE SUS PROPIEDADES LOCALES Y MESOSCOPICAS, CON ENFASIS EN LAS PROPIEDADES DE SPIN,LA MEJORA Y CONTROL DEL RENDIMIENTO DE MATERIALES NANOESTRUCTURADOS REQUIERE UN DETALLADO CONOCIMIENTO FISICO DE SU COMPORTAMIENTO Y RESPUESTA A NIVEL MICROSCOPICO, UN CONOCIMIENTO DEL QUE CARECEMOS A DIA DE HOY, EN ESTE PROYECTO, PRETENDEMOS APORTAR ESTE CONOCIMIENTO MEDIANTE, PRIMERO, EL ACCESO DIRECTO A LA MORFOLOGIA LOCAL Y LA ESTRUCTURA ELECTRONICA DE LAS CAPAS DE MATERIALES 2D-TI; SEGUNDO, LA COMBINACION DE ESTOS RESULTADOS CON LOS OBTENIDOS DE LA CARACTERIZACION MESOSCOPICA EN MEDIDAS DE TRANSPORTE ELECTRONICO EN DEVICES DISEÑADOS PARA TAL EFECTO, ESTE PLANTEAMIENTO MULTI-ESCALAR GENERARA EL CONOCIMIENTO NECESARIO PARA DETECTAR Y CONTROLAR LAS PROPIEDADES ELECTRONICAS Y DE SPIN DE LAS HETEROESTRUCTURAS FABRICADAS, LA AMPLIA EXPERIENCIA DE LOS SOLICITANTES EN LA SINTESIS DE MATERIALES 2D, MICROSCOPIAS DE SONDA LOCAL, Y LA FABRICACION Y CARACTERIZACION DE DISPOSITIVOS, ASEGURA UN RESULTADO EXITOSO DE ESTA PROPUESTA,EN RESUMEN, LOS RESULTADOS PREVISTOS EN ESTE PROYECTO TENDRAN UN IMPACTO TANTO EN LA INVESTIGACION BASICA COMO EN LAS APLICACIONES TECNOLOGICAS EN AREAS COMO LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS MAS AVANZADOS Y LA INFORMACION CUANTICA, LA IMPLICACION Y RELEVANCIA ACTUAL DEL PROYECTO A NIVEL SOCIAL SE DEBE A QUE ESTE PROYECTO BUSCA NUEVAS SOLUCIONES A LAS LIMITACIONES PREVISTAS DE LAS TECNOLOGIAS CONVENCIONALES, UN TEMA FUERTEMENTE RESPALDADO POR LAS ESTRATEGIA ESPAÑOLA Y EUROPEAS DE C&T&I 2D-TIS\HELICAL STATES\SPIN-ORBIT COUPLING\SPINTRONICS\QUANTUM SPIN HALL EFFECT\SPIN TRANSISTOR

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