Hola,
¿eres nuevo aquí?

Regístrate gratis y conecta tu empresa con financiación pública, partners y proyectos.

Tengo cuenta

Regístrate

Ver video

TEC2010-17320

Financiado

DESARROLLO DE HERRAMIENTAS PARA EL MODELADO Y SIMULACION DE DISPOSITIVOS SEMICON...

DESARROLLO DE HERRAMIENTAS PARA EL MODELADO Y SIMULACION DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES AVANZADOS: APLICACION AL ESTUDIO DE FLUCTUACIONES DE PARAMETROS INTRINSECOS LOS OBJETIVOS DEL PROYECTO SE ENMARCAN DENTRO DE LAS LINEAS DE INVESTIGACION QUE LOS SOLICITANTES DEL MISMO ESTAN DESARROLLANDO EN LA ACTUALIDAD, Y ES UNA CONTINUACION DEL PROYECTO DE LA XUNTA DE GALICIA INCITE08PXIB206094PR Y EL... ver más

01/01/2010

USC

75K€

Presupuesto del proyecto: 75K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE SANTIAGO DE COMPOSTELA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 236

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2010-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

0% 100%

Información adicional privada

No hay información privada compartida para este proyecto. Habla con el coordinador.

Participantes

USC

Lider

Conecta tu I+D

¿Tienes un proyecto y buscas un partner? Gracias a nuestro motor inteligente podemos recomendarte los mejores socios y ponerte en contacto con ellos. Te lo explicamos en este video

Proyectos interesantes

TEC2008-06069 MODELADO Y SIMULACION MULTI-ESCALA DE PROCESOS DE FABRICACIO... 86K€ Cerrado

TEC2010-16211 SIMULACION DEL TRANSPORTE DE PORTADORES DE CARGA EN DISPOSIT... 56K€ Cerrado

CTQ2009-07767 MODELIZACION AB INITIO DE MATERIALES MAGNETICOS POLINUCLEARE... 30K€ Cerrado

BES-2009-020147 ESTRUCTURA Y PROPIEDADES EN MATERIALES FERROICOS Y MULTIFERR... 43K€ Cerrado

EEBB-I-12-05705 ESTRUCTURA Y PROPIEDADES EN MATERIALES FERROICOS Y MULTIFERR... 7K€ Cerrado

CTQ2011-27253 FENOMENOS DE TRANSPORTE EN MATERIALES PI-CONJUGADOS Y SU REL... 44K€ Cerrado

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE SANTIAGO DE COMPOSTELA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 236

Presupuesto del proyecto 75K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto LOS OBJETIVOS DEL PROYECTO SE ENMARCAN DENTRO DE LAS LINEAS DE INVESTIGACION QUE LOS SOLICITANTES DEL MISMO ESTAN DESARROLLANDO EN LA ACTUALIDAD, Y ES UNA CONTINUACION DEL PROYECTO DE LA XUNTA DE GALICIA INCITE08PXIB206094PR Y EL PROYECTO NACIONAL TIN2007-67537-C03-01, TOMANDO COMO PUNTO DE PARTIDA ESTOS RESULTADOS Y CONTANDO CON LA INCORPORACION DE INVESTIGADORES DE RECONOCIDO PRESTIGIO A ESTA SOLICITUD, SE ABORDARAN NUEVOS OBJETIVOS, SE AMPLIAN CONSIDERABLEMENTE NO SOLO EL TIPO DE SIMULADORES A DESARROLLAR, SINO TAMBIEN SUS FUNCIONALIDADES, LOS DISPOSITIVOS A ANALIZAR Y LOS ESTUDIOS DE FLUCTUACIONES A REALIZAR, LOS OBJETIVOS SE DIVIDEN EN:1,- SIMULACION DE DISPOSITIVOS BASADOS EN SEMICONDUCTORES FERROMAGNETICOS, EL PRINCIPAL PUNTO DE INTERES ES IMPLEMENTAR MODELOS ANALITICOS Y NUMERICOS QUE PERMITAN ESTUDIAR DISPOSITIVOS BASADOS EN SEMICONDUCTORES MAGNETICOS DILUIDOS (DMS), SE ESTUDIARAN LOS MODELOS QUE CARACTERIZAN ESTOS MATERIALES Y SU INCLUSION EN LOS MODELOS ANALITICOS Y NUMERICOS, SE SIMULARAN HETEROESTRUCTURAS BASADAS EN GAAS Y ZNO CON IMPUREZAS MAGNETICAS PARA ESTUDIAR EL COMPORTAMIENTO DE LA MAGNETORESISTENCIA TUNEL (TMR) Y LAS PROPIEDADES MAGNETO-OPTICAS Y SU DEPENDENCIA CON LA TEMPERATURA, LOS EFECTOS DE ALTA DEGENERACION Y LA INFLUENCIA DE LOS CAMPOS ELECTRICO Y MAGNETICO,2,- SIMULACION BIDIMENSIONAL DE DISPOSITIVOS DE SILICIO Y GAN USANDO EL MODELO DE MONTE CARLO, ENTRE LOS OBJETIVOS DE ESTA TAREA DESTACAN LA OPTIMIZACION DE LOS ALGORITMOS DE SIMULACION Y SU IMPLEMENTACION EN SUPERCOMPUTADORES E INFRAESTRUCTURAS GRID Y CLOUD, CON EL FIN DE REDUCIR LOS ELEVADOS REQUERIMIENTOS COMPUTACIONALES DE ESTOS SIMULADORES, SE PRETENDEN INCLUIR LOS MODELOS NECESARIOS PARA MODELIZAR LOS EFECTOS TERMICOS YA QUE EMPIEZAN A SER UNO DE LOS FACTORES MAS IMPORTANTES EN EL FUNCIONAMIENTO DE LOS DISPOSITIVOS SOI Y LOS BASADOS EN NITRURO DE GALIO PARA APLICACIONES DE POTENCIA, USANDO LOS MODELOS DESARROLLADOS SE ESTUDIARAN DISPOSITIVOS DGSOI DE SILICIO Y TRANSISTORES BASADOS EN NITRURO DE GALIO,3,- SIMULACION TRIDIMENSIONAL PARALELA USANDO LOS MODELOS DE ARRASTRE-DIFUSION Y MONTE CARLO CON CORRECCIONES CUANTICAS, EL OBJETIVO DE ESTA PARTE ES PRINCIPALMENTE REALIZAR LA EXTENSION DE LAS FUNCIONALIDADES QUE TIENEN LOS SIMULADORES TRIDIMENSIONALES BASADOS EN ARRASTRE-DIFUSION Y MONTE CARLO QUE NUESTRO GRUPO HA DESARROLLADO, SE MEJORARA LA ETAPA DE MALLADO, SE INTRODUCIRA EL MODELO DE GRADIENTE DE DENSIDAD Y MODELOS DE TRANSPORTE DE HUECOS, SE OPTIMIZARAN Y CALIBRARAN ESTOS SIMULADORES PARA UTILIZAR EN EL ESTUDIO DE DISPOSITIVOS DE SILICIO Y III-V, INCLUYENDO VERSIONES SOBRE AISLANTE, Y OTRAS ARQUITECTURAS COMO MULTIPUERTA Y LOS NANOHILOS,4,- ESTUDIOS DE VARIABILIDAD EN LOS DISPOSITIVOS, EL ESCALADO DE LOS DISPOSITIVOS QUE ESTAN SIENDO UTILIZADOS, ASI COMO LAS NUEVAS PROPUESTAS QUE ESTAN SURGIENDO CON NUEVOS DISEÑOS Y MATERIALES, ESTAN SUFRIENDO UN PROBLEMA CADA VEZ MAS GRAVE DEBIDO AL INCREMENTO DE LA VARIABILIDAD, QUE SE HA CONVERTIDO EN EL PRINCIPAL DESAFIO DE LOS NUEVOS NODOS TECNOLOGICOS, EL OBJETIVOS ES APLICAR LOS SIMULADORES AL ESTUDIO DE FLUCTUACIONES DEBIDAS A LAS VARIACIONES EN LOS PARAMETROS DE DISEÑO (ESPESOR DE LAS CAPAS, DESALINEAMIENTO DE PUERTA, RUGOSIDADES EN LAS FRONTERAS, ETC,) Y A LAS INHOMOGENEIDADES DE LOS MATERIALES, ENTRE LAS QUE ESTARIAN LAS CAUSADAS POR LA INTRODUCCION DE LOS OXIDOS DE ALTA PERMITIVIDAD, O LOS EFECTOS DE LA NATURALEZA DISCRETA DE LA MATERIA Y LA CARGA,

Conecta tu I+D

Entra hoy

¿Olvidé mi contraseña?

Financiación

Empresas

CTIs/Universidades

Proyectos

Investigadores