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DESARROLLO DE ESTRUCTURAS DE ONDA LENTA PARA LA MEJORA DE PRESTACIONES DE MODULADORES EN TECNOLOGIA DE SILICIO
EL OBJETIVO PRINCIPAL DE ESTE PROYECTO ES EL MODELADO, DISEÑO, FABRICACION Y CARACTERIZACION DE ESTRUCTURAS DE ONDA LENTA PARA MEJORAR LAS PRESTACIONES DE MODULADORES REALIZADOS EN TECNOLOGIA DE SILICIO Y BASADOS EN EL EFECTO DE...
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Fecha límite participación
Sin fecha límite de participación.
Financiación
concedida
El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto
el día 2008-01-01
No tenemos la información de la convocatoria
0%
100%
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Fecha límite de participación
Sin fecha límite de participación.
Descripción del proyecto
EL OBJETIVO PRINCIPAL DE ESTE PROYECTO ES EL MODELADO, DISEÑO, FABRICACION Y CARACTERIZACION DE ESTRUCTURAS DE ONDA LENTA PARA MEJORAR LAS PRESTACIONES DE MODULADORES REALIZADOS EN TECNOLOGIA DE SILICIO Y BASADOS EN EL EFECTO DE DISPERSION DE PLASMA, LA TECNOLOGIA DE SILICIO ES ACTUALMENTE LA TECNOLOGIA MAS PROMETEDORA PARA EL DESARROLLO DE CIRCUITOS NANOFOTONICOS A GRAN ESCALA Y BAJO COSTE DEBIDO A SU COMPATIBILIDAD CON LOS PROCESOS DE FABRICACION CMOS EMPLEADOS EN LA INDUSTRIA MICROELECTRONICA, CONCRETAMENTE, SE ABORDARA LA INVESTIGACION DE DOS TIPOS DIFERENTES DE ESTRUCTURAS DE ONDA LENTA: UNA BASADA EN VARIACIONES DE LA ANCHURA DE UNA GUIA OPTICA Y LA OTRA BASADA EN UNA SERIE DE ANILLOS RESONANTES ACOPLADOS ENTRE SI, EL DESARROLLO DEL PROYECTO PARTE DE UNAS ESPECIFICACIONES INICIALES Y GIRARA EN TORNO A TRES LINEAS DE TRABAJO INTERRELACIONADAS ENTRE SI: DESARROLLO DE LA PARTE PASIVA, DESARROLLO DE LA PARTE ACTIVA Y DESARROLLO DE LOS ELECTRODOS, EL TRABAJO CONJUNTO DE ESTAS TRES LINEAS DE TRABAJO PERMITIRA IMPLEMENTAR LOS DISPOSITIVOS FINALES Y TESTEAR SUS PRESTACIONES, COMO RESULTADO FINAL SE LLEVARA A CABO UNA SINTESIS DEL TRABAJO REALIZADO DURANTE EL PROYECTO Y SE ELABORARAN UNAS DIRECTRICES DEL PROCESO DE DESARROLLO OPTIMO DE UN MODULADOR MEDIANTE ESTRUCTURAS DE ONDA LENTA PARA MEJORAR SUS PRESTACIONES, Silicio\nanofotónica\modulador\electro-óptico