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PGC2018-093291-B-I00

Financiado

DEFECTOS Y HETEROUNIONES BIDIMENSIONALES DE DICALCOGENUROS CON METALS DE TRANSIC...

EL AISLAMIENTO DEL GRAFENO POR PRIMERA VEZ EN 2004 Y SUS FASCINANTES PROPIEDADES ABRIO UN NUEVO CAMPO DE INVESTIGACION, LA FISICA DE MATERIALES BIDIMENSIONALES (2D), EN LOS ULTIMOS AÑOS, LA COMUNIDAD CIENTIFICA HA MOVIDO SU ATENCI... ver más

01/01/2018

UAM

111K€

Presupuesto del proyecto: 111K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE MADRID No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3180

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Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2018-01-01

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Participantes

UAM

Lider

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE MADRID

Total investigadores 3180

Presupuesto del proyecto 111K€

Descripción del proyecto EL AISLAMIENTO DEL GRAFENO POR PRIMERA VEZ EN 2004 Y SUS FASCINANTES PROPIEDADES ABRIO UN NUEVO CAMPO DE INVESTIGACION, LA FISICA DE MATERIALES BIDIMENSIONALES (2D), EN LOS ULTIMOS AÑOS, LA COMUNIDAD CIENTIFICA HA MOVIDO SU ATENCION HACIA OTROS CRISTALES BIDIMENSIONALES, ENTRE ELLOS, LOS DICALCOGENUROS DE METALES DE TRANSICION (TMD) SON UNA FAMILIA DE MATERIALES CON PROPIEDADES QUE LOS HACEN ALTAMENTE ATRACTIVOS PARA ESTUDIOS FUNDAMENTALES DE FENOMENOS FISICOS NOVEDOSOS Y PARA APLICACIONES QUE VAN DESDE LA NANOELECTRONICA HASTA LA NANOFOTONICA, EN LOS ULTIMOS AÑOS SE HA VISTO UN FUERTE RESURGIMIENTO DEL INTERES EN LAS PROPIEDADES DE UNA CAPA ATOMICA DE TMD, PROVOCADO POR LA DEMOSTRACION DEL PRIMER TRANSISTOR Y POR EL DESCUBRIMIENTO DE UNA FUERTE FOTOLUMINISCENCIA EN LAS MONOCAPAS MOS2,LOS TMDS DEL GRUPO VI EXHIBEN UNA COMBINACION UNICA DE GROSOR A ESCALA ATOMICA, CON PROPIEDADES COMO UNA BANDA PROHIBIDA DE ENERGIA DIRECTA, UN FUERTE ACOPLAMIENTO ESPIN-ORBITA, PSEUDOSPIN ASOCIADO A LOS VALLES DE LA ESTRUCTURA ELECTRONICA, SUPERCONDUCTIVIDAD, SEMIMETALIDAD, ETC,, QUE LOS HACE INTERESANTES PARA ESTUDIOS DE LAS PROPIEDADES FUNDAMENTALES DE LA MATERIA COMO PARA NUEVAS APLICACIONES, LAS HETEROESTRUCTURAS HABILMENTE DISEÑADAS PUEDEN INTEGRAR LAS VENTAJAS Y SUPERAR LAS DEBILIDADES DE LOS COMPONENTES INDIVIDUALES; ESTO SE HA UTILIZADO DURANTE AÑOS EN LA INDUSTRIA DE LA MICROELECTRONICA, EN ALGUNOS CASOS, LAS HETEROESTRUCTURAS PERMITEN LA APARICION DE NUEVAS PROPIEDADES EN LOS MATERIALES "ARTIFICIALES" O LA MEJORA DEL RENDIMIENTO EN COMPARACION CON LOS MATERIALES INDIVIDUALES EN APLICACIONES ESPECIFICAS, LAS PROPIEDADES, Y POR LO TANTO LAS POSIBLES APLICACIONES, DE UNA HETEROESTRUCTURA DEPENDEN NO SOLO DE SU COMPOSICION, SINO TAMBIEN DE SU ESTRUCTURA, FASE CRISTALINA, FACETA EXPUESTA, ORGANIZACION ESPACIAL, PUREZA Y LA INTERFAZ ENTRE LOS COMPONENTES,EL PROYECTO APUNTA PRECISAMENTE AL ESTUDIO A ESCALA ATOMICA DE LAS INTERFACES ENTRE DISTINTOS TMD DE ESPESOR ATOMICO Y LA INFLUENCIA DE LOS DEFECTOS Y EL DOPAJE EN LAS PROPIEDADES ELECTRONICAS DE ESTOS MATERIALES 2D, TENEMOS DOS OBJETIVOS INTERCONECTADOS; EN EL PRIMERO, EXPLORAREMOS EL CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES DE TMD DEL GRUPO VI EN DIFERENTES SUSTRATOS, MEDIANTE MICROSCOPIA Y ESPECTROSCOPIA TUNEL DE BARRIDO A BAJA TEMPERATURA, EXPLORAREMOS LAS PROPIEDADES ELECTRONICAS DE ESTOS CRISTALES Y LOS DEFECTOS 0D Y 1D PRESENTES, BUSCAREMOS UN MECANISMO PARA INTRODUCIR DEFECTOS EN LOS CRISTALES DE FORMA CONTROLABLE Y COMPRENDER EL DESARROLLO DE LA SUPERCONDUCTIVIDAD EN LOS TMD SEMIMETALICOS, EN UN SEGUNDO PASO, DESARROLLAREMOS HETEROESTRUCTURAS LATERALES 2D FORMADAS CON MATERIALES CON DIFERENTES PROPIEDADES ELECTRONICAS, CON ESPECIAL ENFASIS EN LA APARICION DE NUEVOS ESTADOS ELECTRONICOS ALREDEDOR DE LOS DEFECTOS, LA ALINEACION DE LA BANDA A TRAVES DE LA INTERFAZ, LA CREACION DE PUNTOS CUANTICOS EN 2D Y LA INFLUENCIA DE LA HETEROUNION EN EL ESTADO SUPERCONDUCTOR, MATERIALES 2D\DICALCOGENUROS DE METALES DE TRANSICION\DEFECTOS 0D\DEFECTOS 1D\STM/STS\SUPERCONDUCTIVIDAD

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