Descripción del proyecto
ESTE SUBPROYECTO INTENTA DEMOSTRAR LA POSIBILIDAD DE CRECER MONOCRISTALES DE SILICIO DE ALTA CALIDAD POR EL METODO CZOCHRALSKI UTILIZANDO CELULAS SOLARES RECUPERADAS A LAS QUE SE LES HA ELIMINADO LOS COMPONENTES METALICOS. SE CRECERAN DISTINTOS CRISTALES DE SI DEPENDIENDO DE LOS MATERIALES PROPORCIONADOS POR EL CONSORCIO: SI PURO, DOPADO CON BORO Y CODOPADO CON BORO Y FOSFORO. DURANTE LOS CRECIMIENTOS, NO SOLO SE USARAN ESTOS DISTINTOS PRECURSORES, SINO QUE SE VARIARAN LOS PARAMETROS DE CRECIMIENTO PARA PODER OBTENER MONOCRISTALES DE SI DE ALTA CALIDAD Y PUREZA. EL ANALISIS DE LOS DIFERENTES PARAMETROS DE CRECIMIENTO, TANTO A PARTIR DE SIMULACIONES NUMERICAS COMO DE EXPERIMENTOS REALES, NOS PERMITIRA CONTROLAR EL IMPACTO DE LA SEGREGACION DE DOPANTES E IMPUREZAS IN EL MATERIAL DE PARTIDA, ASI COMO SU PAPEL EN EL NIVEL DE COMPENSACION DE DOPANTES E IMPUREZAS. LA UAM TAMBIEN TIENE UN PAPEL CRUCIAL EN LA CARACTERIZACION DE LAS OBLEAS POR MEDIO DE TECNICAS DE ANALISIS CON HACES DE IONES (IBA) PARA DETECTAR DOPAJES E IMPUREZAS. ADEMAS, TAMBIEN ESTA PRESENTE EN LA CARACTERIZACION DE LAS OBLEAS RECUPERADAS PARA COMPROBAR, TANTO NIVELES DE CONTAMINACION COMO PROPIEDADES ELECTRICAS Y ESTRUCTURALES. EN ESTE SUBPROYECTO TAMBIEN SE LLEVARAN A CABO PROCESADOS DE NUEVAS CELULAS SOLARES SOBRE LAS OBLEAS DE SI RECRISTALIZADO USANDO TECNICAS DE LITOGRAFIA Y EVAPORACION TERMICA Y DE SERIGRAFIA, PARA FINALMENTE PARTICIPAR EN LA CARACTERIZACION ESTRUCTURAL Y ELECTRICA DE LOS DISPOSITIVOS.