CRECIMIENTO Y CARACTERIZACION DE CRISTALES DE SILICIO PARA SU USO EN LA FABRICAC...
CRECIMIENTO Y CARACTERIZACION DE CRISTALES DE SILICIO PARA SU USO EN LA FABRICACION DE CELDAS SOLARES CON MATERIAL RECICLADO
ESTE SUBPROYECTO INTENTA DEMOSTRAR LA POSIBILIDAD DE CRECER MONOCRISTALES DE SILICIO DE ALTA CALIDAD POR EL METODO CZOCHRALSKI UTILIZANDO CELULAS SOLARES RECUPERADAS A LAS QUE SE LES HA ELIMINADO LOS COMPONENTES METALICOS. SE CREC...
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Fecha límite participación
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Financiación
concedida
El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto
el día 2021-01-01
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Descripción del proyecto
ESTE SUBPROYECTO INTENTA DEMOSTRAR LA POSIBILIDAD DE CRECER MONOCRISTALES DE SILICIO DE ALTA CALIDAD POR EL METODO CZOCHRALSKI UTILIZANDO CELULAS SOLARES RECUPERADAS A LAS QUE SE LES HA ELIMINADO LOS COMPONENTES METALICOS. SE CRECERAN DISTINTOS CRISTALES DE SI DEPENDIENDO DE LOS MATERIALES PROPORCIONADOS POR EL CONSORCIO: SI PURO, DOPADO CON BORO Y CODOPADO CON BORO Y FOSFORO. DURANTE LOS CRECIMIENTOS, NO SOLO SE USARAN ESTOS DISTINTOS PRECURSORES, SINO QUE SE VARIARAN LOS PARAMETROS DE CRECIMIENTO PARA PODER OBTENER MONOCRISTALES DE SI DE ALTA CALIDAD Y PUREZA. EL ANALISIS DE LOS DIFERENTES PARAMETROS DE CRECIMIENTO, TANTO A PARTIR DE SIMULACIONES NUMERICAS COMO DE EXPERIMENTOS REALES, NOS PERMITIRA CONTROLAR EL IMPACTO DE LA SEGREGACION DE DOPANTES E IMPUREZAS IN EL MATERIAL DE PARTIDA, ASI COMO SU PAPEL EN EL NIVEL DE COMPENSACION DE DOPANTES E IMPUREZAS. LA UAM TAMBIEN TIENE UN PAPEL CRUCIAL EN LA CARACTERIZACION DE LAS OBLEAS POR MEDIO DE TECNICAS DE ANALISIS CON HACES DE IONES (IBA) PARA DETECTAR DOPAJES E IMPUREZAS. ADEMAS, TAMBIEN ESTA PRESENTE EN LA CARACTERIZACION DE LAS OBLEAS RECUPERADAS PARA COMPROBAR, TANTO NIVELES DE CONTAMINACION COMO PROPIEDADES ELECTRICAS Y ESTRUCTURALES. EN ESTE SUBPROYECTO TAMBIEN SE LLEVARAN A CABO PROCESADOS DE NUEVAS CELULAS SOLARES SOBRE LAS OBLEAS DE SI RECRISTALIZADO USANDO TECNICAS DE LITOGRAFIA Y EVAPORACION TERMICA Y DE SERIGRAFIA, PARA FINALMENTE PARTICIPAR EN LA CARACTERIZACION ESTRUCTURAL Y ELECTRICA DE LOS DISPOSITIVOS.