CNS2023-145151
Financiado
CORRIENTES DE SPIN INDUCIDAS POR LUZ EN MATERIALES ANTIFERROMAGNETICOS BIDIMENSI...
LOS EFECTOS FOTOVOLTAICOS SON FENOMENOS CRUCIALES PARA VARIAS APLICACIONES TECNOLOGICAS, INCLUIDA LA CONVERSION DE ENERGIA SOLAR Y EL DISEÑO DE FOTODETECTORES Y FOTOTRANSISTORES EFICIENTES. LOS LLAMADOS EFECTOS FOTOVOLTAICOS EN BU...
LOS EFECTOS FOTOVOLTAICOS SON FENOMENOS CRUCIALES PARA VARIAS APLICACIONES TECNOLOGICAS, INCLUIDA LA CONVERSION DE ENERGIA SOLAR Y EL DISEÑO DE FOTODETECTORES Y FOTOTRANSISTORES EFICIENTES. LOS LLAMADOS EFECTOS FOTOVOLTAICOS EN BULK, QUE SON UNA RESPUESTA OPTOELECTRONICA A SEGUNDO ORDEN EN MATERIALES CON SIMETRIA DE INVERSION ROTA, OFRECEN UN CAMINO PARA LA GENERACION EFICIENTE DE FOTOCORRIENTE EN UN SOLO MATERIAL EN BULK, CON EL POTENCIAL DE SUPERAR EL RENDIMIENTO DE LAS INTERFACES FOTOVOLTAICAS TRADICIONALES. ADEMAS, EN CIERTAS CONDICIONES, LOS EFECTOS FOTOVOLTAICOS DE BULK PUEDE RESULTAR EN CORRIENTES POLARIZADAS EN ESPIN O INCLUSO GENERAR CORRIENTES DE ESPIN PURO DE FORMA PURAMENTE OPTICA. EL CONTROL DEL GRADO DE LIBERTAD DEL ESPIN DEL ELECTRON EN DISPOSITIVOS ESPINTRONICOS ES UNA ESTRATEGIA PROMETEDORA PARA ABORDAR LA CRECIENTE DEMANDA DE PLATAFORMAS ELECTRONICAS DE BAJO CONSUMO ENERGETICO. EN PARTICULAR, LA GENERACION OPTICA DE CORRIENTES DE ESPIN ES UNA META DESEABLE PARA SUPERAR LA DISIPACION DE JOULE ASOCIADA CON LA GENERACION ELECTRICA DE CORRIENTES DE ESPIN. SIN EMBARGO, LAS FOTOCORRIENTES DE ESPIN SIGUEN SIENDO UN AREA POCO EXPLORADA, Y LOS ENFOQUES EXPERIMENTALES EXISTENTES GENERALMENTE REQUIEREN INTERFACES, CAMPOS MAGNETICOS O FUERTES INTERACCIONES ESPIN-ORBITA QUE A MENUDO SON PERJUDICIALES PARA EL TRANSPORTE DE LAS CORRIENTES DE ESPIN GENERADAS.EN MATERIALES DONDE EL ORDEN MAGNETICO, EN LUGAR DE LA ESTRUCTURA CRISTALINA, ROMPE LA SIMETRIA DE INVERSION, DESARROLLOS TEORICOS RECIENTES PREDICEN GRANDES FOTOCORRIENTES DE BULK INCLUSO CUANDO LOS MATERIALES SE ILUMINAN CON LUZ NO POLARIZADA. ADEMAS, SE ESPERA QUE ESTAS FOTOCORRIENTES ESTEN POLARIZADAS EN ESPIN Y QUE A LO LARGO DE CIERTAS DIRECCIONES CRISTALOGRAFICAS DEN LUGAR AL FLUJO DE FOTOCORRIENTES DE ESPIN PURO. MUESTRAS DE POCAS CAPAS DE MATERIALES DE VAN DER WAALS ANTIFERROMAGNETICOS NO CENTROSIMETRICOS SON CANDIDATOS IDEALES PARA CUMPLIR CON LOS REQUISITOS TEORICOS PARA PRESENTAR FUERTES EFECTOS FOTOVOLTAICOS DE BULK. ADEMAS, EN ESTOS SISTEMAS, LA SEPARACION DE ESPINES ES MEDIADA POR EL ORDEN ANTIFERROMAGNETICO EN LUGAR DE POR EL ACOPLAMIENTO ESPIN-ORBITA, LO QUE PERMITE LONGITUDES DE DIFUSION DE ESPIN LARGAS. EN POCAS PALABRAS, ESTOS EFECTOS ABREN EL CAMINO PARA LA GENERACION OPTICA EFICIENTE DE CORRIENTES DE ESPIN Y EL TRANSPORTE EFICIENTE DE ESPIN EN EL MISMO MATERIAL.EN UNA PRIMERA ETAPA, LIT-A-SPIN TIENE COMO OBJETIVO LA DETECCION DE FOTOCORRIENTES DE BULK EN FASES NO CENTROSIMETRICAS DE MATERIALS 2D MAGNETICOS Y, A TRAVES DE UNA CARACTERIZACION DETALLADA, CONTRIBUIR AL AVANCE DE LA COMPRENSION DE ESTOS FENOMENOS Y SU OPTIMIZACION. EN UNA SEGUNDA ETAPA, MAS AMBICIOSA, EL PROYECTO TIENE COMO OBJETIVO ABORDAR LA DETECCION PRECISA DE LA POLARIZACION DEL ESPIN DE LAS FOTOCORRIENTES DE BULK E IDENTIFICAR LAS CONDICIONES PARA LA GENERACION Y CONTROL PREDICHOS DE FOTOCORRIENTES DE ESPIN PURO EN ESTOS MATERIALES. LOS RESULTADOS ESPERADOS DEL PROYECTO SON RELEVANTES TANTO PARA NUEVAS TECNOLOGIAS FOTOVOLTAICAS COMO PARA SENTAR LAS BASES PARA LA GENERACION PURAMENTE OPTICA DE CORRIENTES DE ESPIN. ADEMAS, LOS RESULTADOS TIENEN EL POTENCIAL DE DESARROLLAR UNA PLATAFORMA TECNOLOGICA DONDE LA GENERACION Y EL TRANSPORTE DE ESPINES PUEDAN REALIZARSE EN UN MISMO MATERIAL. PHOTORESPONSE\NON-LINEAR OPTOELECTRONICS\2D MATERIALS\PHOTOVOLTAIC EFFECTS\NON-COLLINEAR MAGNETS
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Línea de financiación: concedida
El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2023-01-01
Presupuesto
El presupuesto total del proyecto asciende a
200K€
Líder del proyecto
FUNDACION BCMATERIALS - BASQUE CENTER FOR MAT...
Investigación y desarrollo experimental en ciencias naturales y técnicas asociacion
Perfil tecnológico
TRL
3-4
Perfil tecnológico
TRL
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