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MAT2015-65159-R

Financiado

CONTROL DE INTERCAPAS PARA LA REALIZACION DE FENOMENOS FISICOS AVANZADOS Y DISPO...

CONTROL DE INTERCAPAS PARA LA REALIZACION DE FENOMENOS FISICOS AVANZADOS Y DISPOSITIVOS ELECTRONICOS LA TENDENCIA ACTUAL EN LA MINIATURIZACION DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS REQUIERE QUE EL TAMAÑO DE CADA COMPONENTE INDIVIDUAL SE REDUZCA PROGRESIVAMENTE, EN CONSECUENCIA LAS PROPIEDADES DE VOLUMEN INTRINSECAS DE LOS PROPIOS MATERIAL... ver más

01/01/2015

ASOC CIC NANOGUNE

363K€

Presupuesto del proyecto: 363K€

Líder del proyecto

ASOC CIC NANOGUNE Actividades auxiliares a la educación asociacion

TRL 4-5 | 50K€

Ver Participantes

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2015-01-01

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Participantes

ASOC CIC NANOGUNE

Lider

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Líder del proyecto

ASOC CIC NANOGUNE

TRL 4-5 | 50K€

Presupuesto del proyecto 363K€

Descripción del proyecto LA TENDENCIA ACTUAL EN LA MINIATURIZACION DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS REQUIERE QUE EL TAMAÑO DE CADA COMPONENTE INDIVIDUAL SE REDUZCA PROGRESIVAMENTE, EN CONSECUENCIA LAS PROPIEDADES DE VOLUMEN INTRINSECAS DE LOS PROPIOS MATERIALES SON CADA VEZ MENOS IMPORTANTES Y LAS INTERCAPAS ENTRE DIFERENTES MATERIALES SE ESTAN HACIENDO CADA VEZ MAS RELEVANTES, LAS INTERCAPAS SE ENCUENTRAN ACTUALMENTE EN EL CENTRO DE PRACTICAMENTE CUALQUIER DISPOSITIVO NANOELECTRONICA, DESDE EL PUNTO DE VISTA FUNDAMENTAL, LAS INTERCAPAS PRESENTAN NUEVOS FENOMENOS FISICOS QUE NO SE ENCUENTRAN EN LOS MATERIALES DE FRONTERA Y PUEDEN DE ESTA FORMA ABRIR EL CAMINO A ZONAS INEXPLORADAS DE POTENCIAL TECNOLOGICO VIRGEN, EN ESTE PROYECTO, NUESTRO OBJETIVO ES LA COMPRENSION Y EL CONTROL DE LAS INTERCAPAS PARA PRODUCIR FENOMENOS FISICOS AVANZADOS Y DISPOSITIVOS QUE PUEDAN TENER UN IMPACTO EN EL FUTURO DE LA INDUSTRIA ELECTRONICA,EL PROYECTO, TENIENDO EN CUENTA NUESTRA EXPERIENCIA INVESTIGADORA Y EL EQUIPAMIENTO DISPONIBLE, SE HA DIVIDIDO EN TRES SECCIONES QUE SON: INTERCAPAS PARA LA ESPINTRONICA, METAL / INTERCPAS METAL/MOLECULA E INTERCAPAS MATERIAL 2D/MOLECULA, RESPECTIVAMENTE, EN LA PRIMERA SECCION EXPLORAREMOS LA CONVERSION DE CORRIENTES DE CARGA A CORRIENTES DE ESPIN POR MEDIO DE VALVULAS DE ESPIN NO LOCALES, EN LAS INTERCAPAS ENTRE DIFERENTES METALES Y ENTRES METALES Y OTROS MATERIALES COMO AISLANTES TOPOLOGICOS ESPERAMOS OBTENER UNA GRAN CONVERSION ENTRE LA CARGA Y EL ESPIN SIENDO CAPACES DE CREAR CORRIENTES DE ESPIN SIN MATERIALES FERROMAGNETICOS, IGUALMENTE ASPIRAMOS A CONTROLAR LAS CORRIENTES PURAS DE ESPIN POR MEDIO DEL FENOMENO DE TRANSFERENCIA DE ESPIN EN INTERCAPAS ENTRE METALES O GRAFENO CON AISLANTES MAGNETICOS, ESTE CONTROL DE LAS CORRIENTES DE ESPIN NOS COLOCARA MAS CERCA DEL LARGAMENTE CODICIADO TRANSISTOR DE ESPIN, EN LA SEGUNDA SECCION, PRIMERO EXPLORAREMOS LA ALINEACION DE LOS NIVELES DE ENERGIA ENTRE METALES Y SEMICONDUCTORES MOLECULARES (TANTO PEQUEÑAS MOLECULAS COMO POLIMEROS), ESTA ALINEACION DETERMINA EL RENDIMIENTO DE PRACTICAMENTE TODOS LOS DISPOSITIVOS ORGANICOS (POR EJEMPLO, OLEDS O CELDAS FOTOVOLTAICAS) Y SU DETERMINACION EN UNA CONFIGURACION SIMPLE SERIA UN GRAN AVANCE PRACTICO EN EL CAMPO, TAMBIEN ESPERAMOS CONTROLAR TAL ALINEACION DE ENERGIA A TRAVES DE LA MODIFICACION DE LA INTERCAPA POR MEDIO DE MOLECULAS DIPOLARES, MIENTRAS QUE COTEJAREMOS LOS RESULTADOS OBTENIDOS CON LOS DATOS INDEPENDIENTES PROCEDENTES DE ESPECTROSCOPIA DE FOTOEMISION, MAS ALLA DE LA SINTONIZACION DE ENERGIA EN LAS INTERCAPAS, NUESTRO OBJETIVO ES TAMBIEN LA CREACION DE NUEVOS MATERIALES EN LA SUPERFICIE DE METALES REACTIVOS POR MEDIO DE DEPOSICION MOLECULAR, ESTA ES UN AREA EN GRAN PARTE INEXPLORADA Y ESPERAMOS SER CAPACES DE CREAR BITS MAGNETICOS EN LA NANOESCALA SOBRE SUSTRATOS TALES COMO COBRE, EN LA TERCERA Y ULTIMA SECCION VAMOS A EXPLORAR LA BARRERA SCHOTTKY EN LA INTERCAPA ENTRE DICALCOGENUROS DE METALES DE TRANSICION BIDIMENSIONALES Y SEMICONDUCTORES MOLECULARES, HAREMOS USO DE MATERIALES TANTO TIPO P COMO TIPO N PARA AVANZAR EN LA REALIZACION DE CIRCUITOS COMPLEJOS, TALES COMO OSCILADORES Y CELULAS FOTOVOLTAICAS CONTROLADAS POR UNA TENSION DE PUERTA EXTERNA, NANOELECTRONICA\ESPINTRÓNICA\ELECTRÓNICA ORGÁNICA MATERIALES BIDIMENS

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