Descripción del proyecto
EL MARCO EN EL QUE SE PRETENDE DESARROLLAR EL TRABAJO EN ESTE SUBPROYECTO ES EL DE LOS DESARROLLOS TECNOLOGICOS ASOCIADOS AL UPGRADE DE ATLAS PARA EL SUPER-LHC DEL CERN, EL GRUPO SOLICITANTE ESTA IMPLICADO DESDE HACE VARIOS AÑOS EN ESTE TRABAJO EN COLABORACION CON EL INSTITUTO DE FISICA CORPUSCULAR DE VALENCIA (IFIC-CSIC) Y SE ESTA TRABAJANDO EN VARIOS FRENTES: POR UN LADO EN EL DESARROLLO DE DETECTORES DE RADIACION QUE SEAN CAPACES DE MANTENER LAS PRESTACIONES ACTUALES ANTE EL AUMENTO DE UN ORDEN DE MAGNITUD DE LA LUMINOSIDAD ASOCIADO AL S-LHC; POR OTRO EN LA BUSQUEDA DE UNA ELECTRONICA ASOCIADA ADECUADA PARA ESTOS DETECTORES Y LA DISTRIBUCION DE LA POTENCIA; Y FINALMENTE EN EL DESARROLLO DE MODULOS COMPLETOS DETECTOR-ELECTRONICA-SERVICIOS,EL AUMENTO DE LA LUMINOSIDAD DEL S-LHC TENDRA SU EFECTO MAS ACUSADO EN EL TRACKER DEL DETECTOR ATLAS QUE TENDRA QUE SER REEMPLAZADO EN SU TOTALIDAD, HABRA UN MAYOR FLUJO INSTANTANEO DE PARTICULAS QUE PRODUCIRA UN ALTO RITMO DE IMPACTOS SOBRE LOS DETECTORES, ASI COMO UN AUMENTO DEL FLUJO INTEGRADO A LO LARGO DEL TIEMPO QUE PRODUCIRA UNA MAYOR DEGRADACION POR RADIACION, EN ESTE PROYECTO SE ESTUDIARAN NUEVAS OPCIONES PARA LOS DOS SISTEMAS QUE MAS SE VEN AFECTADOS POR LOS FACTORES DESCRITOS: LA ELECTRONICA DE LECTURA Y LOS DETECTORES DE RADIACION,A) ELECTRONICA: SE PRODUCIRA UNA DEGRADACION DE LAS PRESTACIONES DE LOS CIRCUITOS COMO CONSECUENCIA DE LA DEGRADACION DE LOS DISPOSITIVOS ELECTRONICOS QUE LOS INTEGRAN, LAS CONSECUENCIAS PRINCIPALES DE ESTA DEGRADACION SON EL AUMENTO DEL RUIDO ELECTRONICO, LA DISMINUCION DE LA GANANCIA, LA DEGRADACION DE LA RELACION SEÑAL/RUIDO Y LA MAYOR INCIDENCIA DE LOS EFECTOS PUNTUALES LLAMADOS SINGLE EVENT EFFECTS, PARA AFRONTAR ESTOS PROBLEMAS SE HAN PROPUESTO HASTA EL MOMENTO DOS POSIBLES TECNOLOGIAS MICROELECTRONICAS, UNA PRIMERA PROPUESTA ES EL USO DE TECNOLOGIAS CMOS DEEP SUB-MICRON, Y LA OTRA PROPUESTA TECNOLOGICA ES EL USO DE TECNOLOGIAS BICMOS DE SIGE, DURANTE LOS PROXIMOS TRES AÑOS SE PRETENDE DEMOSTRAR LA VIABILIDAD DE ESTA ULTIMA ALTERNATIVA Y SUS BENEFICIOS RESPECTO A LAS TECNOLOGIAS CMOS DSM, SE COLABORARA INTENSAMENTE CON LOS GRUPOS QUE TIENEN AMPLIA EXPERIENCIA EN EL DISEÑO DE ESTOS CIRCUITOS, COMO EL SCIPP (USA) O EL GRUPO DE ELECTRONICA DEL CERN, PARA CONTRIBUIR A LA CARACTERIZACION COMPLETA DE LOS PROTOTIPOS DISEÑADOS, TANTO ANTES DE IRRADIAR, COMO DESPUES DE IRRADIAR,B) DETECTORES: EL INCREMENTO DE LUMINOSIDAD EN UN FACTOR 10 SE TRADUCE EN UN AUMENTO DE LA FLUENCIA DE PARTICULAS QUE IMPONE RETOS IMPORTANTES A LOS DETECTORES, CON OBJETO DE MANTENER EN NIVEL DE OCUPACION Y DE TRACKING DE LOS DETECTORES SU AREA SENSIBLE DEBE SER REDUCIDA Y EL NUMERO DE CANALES AUMENTADO, POR OTRO LADO, EL ALTO NIVEL DE DEGRADACION POR RADIACION FUERZA LA BUSQUEDA DE NUEVAS OPCIONES TECNOLOGICAS, EXISTE UN AMPLIO PROGRAMA PARA VALIDAR LOS PROGRESOS TECNOLOGICOS QUE LOS DIVERSOS FABRICANTES (HAMAMATSU, MICRON, CNM, ETC,) ESTAN REALIZANDO EN COLABORACION CON GRUPOS DE ATLAS, ESTE PROGRAMA INCLUYE: ELECCION DE SUBSTRATOS, CONCEPCION, DISEÑO Y FABRICACION DE NUEVAS ESTRUCTURAS, CARACTERIZACION ELECTRICA, ESTUDIOS DE COLECCION DE CARGA, ESTUDIOS DE IRRADIACION, ANNEALING, DEFINICION DE PARAMETROS DE OPERACION (TENSION DE POLARIZACION, TEMPERATURA), OTROS ESTUDIOS INCLUYEN LA TECNICA DE AISLAMIENTO O EFECTO DE LOS PEGAMENTOS Y RECUBRIMIENTOS EN EL COMPORTAMIENTO DE LOS DETECTORES DESPUES DE IRRADIACION Y LA CONEXION CON LA ELECTRONICA DE LECTURA EN EL MODULO FINAL, LHC\ATLAS\S-LHC\DETECTORES DE RADIACION\DETECTORES DE SILICIO\RESISTENCIA A LA RADIACION\EFFECTOS DE LA RADIACION\SIGE BICMOS\TRANSISTORES BIPOLARES\LDMOS