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Computer modelling and experimental validation of plasmas and plasma surface in...

Computer modelling and experimental validation of plasmas and plasma surface interactions for a deep insight in cryogenic etching Microchips have caused a revolution in electronics over the last few decades. Following Moore's law, much effort has been put into continuously shrinking electronic feature dimensions. Indeed, typical feature sizes of semi-conduct... ver más

07/06/2018

UANTWERPEN

161K€

Presupuesto del proyecto: 161K€

Líder del proyecto

UNIVERSITEIT ANTWERPEN No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Ver 2 Participantes

Financiación concedida El organismo H2020 notifico la concesión del proyecto el día 2018-06-07

MSCA-IF-2015-EF: Marie Skłodowska-Curie Individual F... Scope:Proposals for European Fellowships involve a single host organisation (future beneficiary) est...

I+D

Cerrada hace 9 años

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Características del participante

Este proyecto no cuenta con búsquedas de partenariado abiertas en este momento.

Información adicional privada

No hay información privada compartida para este proyecto. Habla con el coordinador.

2 Participantes

UANTWERPEN

160.80K€ | Lider

GEISER PHARMA

505.50K€ | Participante

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Duración del proyecto: 26 meses Fecha Inicio: 2016-03-14
Fecha Fin: 2018-06-07

Líder del proyecto

UNIVERSITEIT ANTWERPEN No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5

Presupuesto del proyecto 161K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto Microchips have caused a revolution in electronics over the last few decades. Following Moore's law, much effort has been put into continuously shrinking electronic feature dimensions. Indeed, typical feature sizes of semi-conductor decreased from 10 µm in 1971 to 14 nm in 2014. With the shrinkage of feature sizes, plasma etching plays a more and more important role due to its anisotropy during surface processing. However, to go beyond 14 nm features, current state-of-the-art plasma processing faces significant challenges, such as plasma induced damage. Recently, one such novel process with limited plasma damage is cryogenic etching of low-k material with SF6/O2/SiF4 and CxFy plasmas. In this project, the fundamental mechanisms of the plasma, and its interaction with the surface, for these gas mixtures, will be studied to improve cryogenic plasma etching. For this purpose, numerical models (a hybrid Monte Carlo - fluid model and molecular dynamics model) will be employed to describe (i) the plasma behavior for SF6/O2/SiF4 and CxFy gas mixtures applied for cryogenic etching, and (ii) the surface interactions of the plasma species with the substrate during etching. Furthermore, cryogenic etch experiments will also be conducted to validate the modeling results during the secondment. Such an interdisciplinary project, including chemistry, physics, mathematics, computer modeling and chemical engineering, will definitely widen the applicant’s expertise in different plasma investigation approaches.

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