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PID2021-128547OB-I00

Financiado

CO-INTEGRACION DE MATERIALES BIDIMENSIONALES CON TECNOLOGIA CMOS PARA EL DESARRO...

CO-INTEGRACION DE MATERIALES BIDIMENSIONALES CON TECNOLOGIA CMOS PARA EL DESARROLLO DE SENSORES AUTONOMOS DE GASES. (GRANADA) LOS SENSORES DE GAS SON INDISPENSABLES EN CAMPOS COMO EL CONTROL DE EMISIONES Y DE LA CALIDAD DEL AIRE EN LAS CIUDADES, LA SEGURIDAD MILITAR Y PUBLICA, LA PRODUCCION INDUSTRIAL (AUTOMOVILISTICA, ALIMENTARIA Y AGRICOLA), EL SEGUIMI... ver más

01/01/2021

UGR

93K€

Presupuesto del proyecto: 93K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE GRANADA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 5507

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Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2021-01-01

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UGR

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE GRANADA

Total investigadores 5507

Presupuesto del proyecto 93K€

Descripción del proyecto LOS SENSORES DE GAS SON INDISPENSABLES EN CAMPOS COMO EL CONTROL DE EMISIONES Y DE LA CALIDAD DEL AIRE EN LAS CIUDADES, LA SEGURIDAD MILITAR Y PUBLICA, LA PRODUCCION INDUSTRIAL (AUTOMOVILISTICA, ALIMENTARIA Y AGRICOLA), EL SEGUIMIENTO MEDIOAMBIENTAL, Y EL DIAGNOSTICO MEDICO. A DIA DE HOY, NINGUNA DE LAS TECNOLOGIAS EN EXPLOTACION DE SENSORES DE GAS ES CAPAZ DE PROPORCIONAR SIMULTANEAMENTE LAS CARACTERISTICAS DE SENSIBILIDAD, SELECTIVIDAD, BAJA-POTENCIA, TAMAÑO Y COSTE, QUE SERIAN NECESARIOS PARA PODER GENERALIZAR EL USO DE ESTOS DISPOSITIVOS EN RUTINAS DIARIAS, EN EL IOT O EN INTELIGENCIA ARTIFICIAL. UN BUEN SENSOR DE GAS NECESITA CONTAR CON MATERIALES DE ALTA SENSIBILIDAD CON BUENA SELECTIVIDAD Y CORTOS TIEMPOS DE RESPUESTA/RECUPERACION, Y QUE FUNCIONE A TEMPERATURA AMBIENTE. LA IRRUPCION DE LOS MATERIALES BIDIMENSIONALES PODRIA PROPORCIONAR NANOESTRUCTURAS QUE CUMPLEN CON ESTOS REQUISITOS. LAS NANOESTRUCTURAS 2D APORTAN UNA GRAN RELACION SUPERFICIE/VOLUMEN, YA QUE LA MAYORIA DE SUS ATOMOS ESTAN EXPUESTOS AL AMBIENTE, Y POR LO TANTO POSEEN MUCHOS SITIOS ACTIVOS DONDE ABSORBER LAS MOLECULAS DE GAS, LO QUE LES PROPORCIONA UNA ALTA SENSIBILIDAD. ES FACIL FUNCIONALIZAR SU SUPERFICIE CON NANOPARTICULAS PARA DOTARLOS DE UNA GRAN SELECTIVIDAD. LOS DICALCOGENUROS DE METALES DE TRANSICION O TMDS A DIFERENCIA DEL GRAFENO, PRESENTAN PROPIEDADES SEMICONDUCTORAS CON UN GAP FINITO, LO QUE ES MUY UTIL PARA MODULAR LAS PROPIEDADES DE TRANSPORTE DE CARGA EN EL MATERIAL Y DISMINUIR SU UMBRAL DE DETECCION. EL PRESENTE PROYECTO PERSIGUE PROFUNDIZAR EN EL CONOCIMIENTO DE LOS MECANISMOS DE DETECCION DE GASES EN TMDS, TANTO DESDE EL PUNTO DE VISTA TEORICO MEDIANTE SIMULACIONES AB-INITIO DE LAS INTERACCIONES MOLECULAS-TMD, COMO DESDE EL PUNTO DE VISTA PRACTICO MEDIANTE LA FABRICACION, OPTIMIZACION Y VALIDACION DE SENSORES DE GASES BASADOS EN DISPOSITIVOS FET-TMDS. SERA NECESARIA LA FABRICACION DE MATERIALES TMDS SOBRE DIFERENTES SUSTRATOS MEDIANTE DIVERSAS TECNICAS COMO CHEMICAL-VAPOR- DEPOSITION (CVD), Y PLASMA ENHANCED-ATOMIC LAYER DEPOSITION (PE-ALD). UNA VEZ CONSEGUIDAS LAMINAS MONOCAPA Y HETEROSTRUCTURAS DE MATERIALES TMD SE FABRICARAN TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO, TANTO CON PUERTA SUPERIOR COMO CON PUERTA INFERIOR. SE CARACTERIZARAN ELECTRICAMENTE Y SE OPTIMIZARAN INTENTANDO DESCIFRAR EL PAPEL JUGADO POR LAS DISTINTAS INTERFACES, LOS DEFECTOS Y LAS IMPUREZAS. PARA ELLO ES FUNDAMENTAL LA COMPARACION CON RESULTADOS TANTO DE SIMULACIONES AB-INITIO DE LOS MATERIALES COMO SIMULACIONES TCAD DE LOS DISPOSITIVOS. LOS DISPOSITIVOS FET CON PUERTA POSTERIOR FABRICADOS SERAN EVALUADOS Y OPTIMIZADOS COMO SENSORES DE GASES. PARA REDUCIR COSTES Y MEJORAR SUS PRESTACIONES, EL SENSOR (TMD) Y EL CIRCUITO DE CONTROL (SILICIO) DEBERIAN PODER FABRICARSE EN EL MISMO CHIP. LA INTEGRACION DE TMDS SOBRE CIRCUITOS INTEGRADOS CMOS DE SILICIO ES UN AREA INFRA-EXPLORADA CON GRAN INTERES POTENCIAL EN NANOELECTRONICA. OTRO DE LOS OBJETIVOS DEL PROYECTO ES EL CRECIMIENTO DE LAMINAS TMD SOBRE SUSTRATOS CMOS DE SILICIO. DETERMINAREMOS LOS PARAMETROS FISICOS DEL PROCESO DE CRECIMIENTO DE MATERIALES 2D SOBRE EL BACK-END-OF-LINE (BEOL) DE CIRCUITOS CMOS, QUE PROPORCIONEN LAMINAS DE TMDS DE MAXIMA CALIDAD, LIBRES DE DEFECTOS, Y NO DEGRADEN LA FUNCIONALIDAD DE LOS CIRCUITOS CMOS. FINALMENTE, SE INTEGRARA UN SENSOR DE GAS FABRICADO CON UN FET TMD SOBRE EL BEOL DE UN CIRCUITO CMOS QUE HABRA SIDO FABRICADO EN UN PROCESO MULTI-PROJECT-WAFER A TRAVES DE EUROPRACTICE-IC. ANOELECTRONICA\BEOL\CMOS\MATERIALES BIDIMENSIONALES\SENSORES DE GAS\NANOTECNOLOGIA

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