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EIN2019-103473

Financiado

CO-INTEGRACION CMOS DE DISPOSITIVOS BASADOS EN MATERIALES BIDIMENSIONALES LIBRES...

CO-INTEGRACION CMOS DE DISPOSITIVOS BASADOS EN MATERIALES BIDIMENSIONALES LIBRES DE DEFECTOS EL OBJETIVO DE LA PRESENTE PROPUESTA ES OBTENER LA FINANCIACION NECESARIA PARA REDACTAR UNA PROPUESTA COMPETITIVA EN EL MARCO DE LA CONVOCATORIA ERC ADVANCED GRANT, LA TEMATICA ELEGIDA ES LA COINTEGRACION CMOS DE MATERIALES BIDIME... ver más

01/01/2019

UGR

9K€

Presupuesto del proyecto: 9K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE GRANADA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 5507

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2019-01-01

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Participantes

UGR

Lider

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE GRANADA

Total investigadores 5507

Presupuesto del proyecto 9K€

Descripción del proyecto EL OBJETIVO DE LA PRESENTE PROPUESTA ES OBTENER LA FINANCIACION NECESARIA PARA REDACTAR UNA PROPUESTA COMPETITIVA EN EL MARCO DE LA CONVOCATORIA ERC ADVANCED GRANT, LA TEMATICA ELEGIDA ES LA COINTEGRACION CMOS DE MATERIALES BIDIMENSIONALES Y EL DESARROLLO DE APLICACIONES BIOSENSORAS ULTRASENSIBLES PARA DIAGNOSTICO PRECOZ, LA OBTENCION DE GRAFENO AISLADO EN 2004 (QUE LE VALIO EL PREMIO NOBEL DE FISICA DE 2010 A A, GEIM Y K, NOVOSELOV) Y LA FABRICACION DEL MOSFET DE DISULFURO DE MOLIBDENO EN 2011 HA PROVOCADO UN IMPORTANTE AUMENTO DE LA INVESTIGACION EN MATERIALES 2D, EN LA ACTUALIDAD, SE ESTA LLEVANDO UN IMPORTANTE ESFUERZO INVESTIGADOR DEBIDO A SU POTENCIAL APLICACION EN LOS FUTUROS DISPOSITIVOS ELECTRONICOS, ENTRE LOS MATERIALES MAS PROMETEDORES SE ENCUENTRAN LOS DICALCOGENUROS DE METALES DE TRANSICION O TMDS, OFRECIENDO CARACTERISTICAS MUY DESEABLES PARA FUTURAS APLICACIONES: I) BANDAS PROHIBIDAS ADECUADAS PARA SER COMPATIBLES CON TECNOLOGIA CMOS, II) MASAS EFECTIVAS GRANDES QUE REDUCEN EL TUNEL DE FUENTE A DRENADOR, III) ESPESORES CONTROLABLES A NIVEL ATOMICO PERMITIENDO UN EXCELENTE CONTROL ELECTROSTATICO, SIN EMBARGO, EXISTEN IMPORTANTES ASPECTOS EN ESTA NOVEDOSA TECNOLOGIA QUE TODAVIA NO ESTAN SUFICIENTEMENTE EXPLICADOS, COMO POR EJEMPLO LA ADECUADA ELECCION DE LOS CONTACTOS, EL ESPESOR DEL MATERIAL 2D (NUMERO DE CAPAS ATOMICAS), PARAMETROS DE TRANSPORTE COMO LA REDUCIDA MOVILIDAD EN COMPARACION CON LOS ESTUDIOS TEORICOS, O LA APARICION DE HISTERESIS EN LAS CURVAS CARACTERISTICAS DE LOS TRANSISTORES, EN ESTE PROYECTO SE PROPONE COMBINAR LA FABRICACION, CARACTERIZACION ELECTRICA Y ESTRUCTURAL Y LA SIMULACION Y EL MODELADO PARA CONSEGUIR LOS SIGUIENTES OBJETIVOS: I) MEJORAR LAS TECNICAS DE FABRICACION PARA CONSEGUIR LAMINAS MONOATOMICAS DE TMDS CON MEJORES PROPIEDADES DE TRANSPORTE Y DE FORMA REPRODUCIBLE CON POSIBILIDAD DE TRANSFERIRSE A PRODUCCION EN MASA, II) MEJORAR LAS PRESTACIONES DE TRANSISTORES BASADOS EN TMDS, III) MEJORAR LOS MODELOS TEORICOS DE ESTOS DISPOSITIVOS Y, IV) DESARROLLAR Y DEMOSTRAR APLICACIONES DE ESTRUCTURAS BASADAS EN TMDS COMO CELDAS DE MEMORIA Y BIOSENSORES,PARA LA FABRICACION DE TMD-FETS SERA NECESARIO OBTENER LAMINAS 2D MEDIANTE EXFOLIACION O CVD, DEPOSITAR CONTACTOS METALICOS Y APILAR DIFERENTES MATERIALES 2D EN LAS DENOMINADAS ESTRUCTURAS DE VAN DER WAALS (VDW), SE REALIZARA UNA EXTENSIVA CARACTERIZACION ELECTRICA Y ESTRUCTURAL DE LAS LAMINAS Y CONTACTOS FABRICADOS, FINALMENTE, EL MODELADO Y LA SIMULACION DE ESTAS ESTRUCTURAS PROVEERA EL FEEDBACK NECESARIO AL RESTO DEL PROYECTO RESPECTO A LAS PROPIEDADES DE TRANSPORTE, LAS BARRERAS EN LOS CONTACTOS, LA SIMULACION SEMICLASICA DE DISPOSITIVOS COMPLETOS Y LA INTERACCION ENTRE LAS CAPAS EN ESTRUCTURAS DE VDW,AUNQUE EL PROYECTO ES BASTANTE AMBICIOSO, EL EQUIPO INVESTIGADOR AUNA LOS MEDIOS Y CONOCIMIENTOS NECESARIOS PARA PARA TENER EXITO EN LAS TAREAS PROPUESTAS, EL GRUPO CUENTA CON EQUIPAMIENTO EXPERIMENTAL DE ULTIMA GENERACION VALORADO EN MAS DE 4,5M QUE HA SIDO POSIBLE GRACIAS A LA INVERSION CONJUNTA DE LA UGR Y EL MINECO A TRAVES DEL PROGRAMA NACIONAL DE INFRAESTRUCTURAS DESDE 2010 Y QUE CONTINUA EN LA ACTUALIDAD, ADEMAS, TIENE UNA SOLIDA TRAYECTORIA INTERNACIONAL EN LA CARACTERIZACION, SIMULACION Y MODELADO DE NANODISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES, NANOELECTRONICA\SEMICONDUCTORES BIDIMENSIONALES

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