CELULAS SOLARES DE INGAN MEJORADAS CON PLASMONES SUPERFICIALES Y FABRICADAS POR...
CELULAS SOLARES DE INGAN MEJORADAS CON PLASMONES SUPERFICIALES Y FABRICADAS POR MBE SOBRE SUSTRATOS DE SILICIO Y CAPAS DE GAN
EL PRINCIPAL OBJETIVO DE ESTE PROYECTO ES DEMOSTRAR EL POTENCIAL DE LOS NITRUROS DEL GRUPO III COMO SISTEMA DE MATERIALES NOVEDOSO PARA LA FABRICACION DE CELULAS SOLARES A LA VEZ QUE SIRVE COMO BASE PARA DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS...
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Fecha límite participación
Sin fecha límite de participación.
Financiación
concedida
El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto
el día 2011-01-01
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Fecha límite de participación
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Descripción del proyecto
EL PRINCIPAL OBJETIVO DE ESTE PROYECTO ES DEMOSTRAR EL POTENCIAL DE LOS NITRUROS DEL GRUPO III COMO SISTEMA DE MATERIALES NOVEDOSO PARA LA FABRICACION DE CELULAS SOLARES A LA VEZ QUE SIRVE COMO BASE PARA DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS ALTAMENTE EFICIENTES DE MULTI-UNION A UN PRECIO MAS BAJO QUE EL DE LA TECNOLOGIA TANDEM EXISTENTE PARA LOS MATERIALES III-V. ESTRUCTURAS P/N Y P/I/N BASADAS EN INGAN, TANTO DE PELICULAS DELGADAS COMO NANOESTRUCTURAS, SON CANDIDATAS IDEALES PARA ESTE OBJETIVO. PARTICULARMENTE PROMETEDOR ES EL ENFOQUE DEL CRECIMIENTO NANOCOLUMNAR DADA LA CUASI-PERFECCION CRISTALINA DEL MATERIAL (SIN-DEFECTOS) Y LA ALTA EFICIENCIA OPTICA. HETEROESTRUTURAS DE INGAN SERAN CRECIDAS POR EPITAXIA DE HACES MOLECULARES SOBRE SUSTRATOS DE SILICIO Y CAPAS DE GAN, PARA MAS ADELANTE SER PROCESADAS Y PODER FABRICAR CELULAS SOLARES. ADEMAS, EL PROYECTO TRATA EL ESTUDIO Y EXPLOTACION DE EFECTOS DE PLASMONES SUPERFICIALES Y DE CRISTALES FOTONICOS (EN PARTICULAR DENTRO DEL PROCEDIMIENTO DE CRECIMIENTO ORDENADO DE NANOCOLUMNAS) EN CELULAS SOLARES PARA AUMENTAR LA ABSORCION Y LA EFICIENCIA DE CONVERSION DE FOTONES. EL EMPLEO DE MULTI-POZOS CUANTICOS Y PUNTOS CUANTICOS BASADOS EN INGAN SON TAMBIEN CONTEMPLADOS PARA APLICARLOS EN LAS CELULAS SOLARES DE TERCERA GENERACION, CON LA INTENCION DE APROVECHAR LA GENERACION DE MULTIPLES EXCITONES A PARTIR DE UN FOTON SIMPLE DE ENERGIA SUFICIENTE Y TAMBIEN PARA LA FORMACION DE LA BANDA INTERMEDIA DENTRO DE LA BANDA PROHIBIDA DEL SEMICONDUCTOR. LOS OBJETIVOS DEL PROYECTO SE CENTRAN PRINCIPALMENTE EN EL CRECIMIENTO POR MBE Y CARACTERIZACION (OPTICA, ELECTRICA Y ESTRUCTURAL) DE LAS DIFERENTES ESTRUCTURAS MENCIONADAS, CON LA INTENCION DE DEMOSTRAR EL POTENCIAL DE LOS NITRUROS DEL GRUPO III EN EL CAMPO DE LA FOTOVOLTAICA. ITRUROS DEL GRUPO III\PLASMONES SUPERFICIALES\CELULA SOLAR\INGAN