Descripción del proyecto
EN APLICACIONES CRITICAS PARA LA SEGURIDAD, LA DETECCION DE DEFECTOS DE FABRICACION ES DE SUMA IMPORTANCIA, INCLUSO SI NO AFECTAN SIGNIFICATIVAMENTE AL RENDIMIENTO, POR LO TANTO, LOS ENFOQUES DE TEST ORIENTADOS A DEFECTOS SON NECESARIOS, PERO SU VALIDACION ES COMPLEJA: LA SIMULACION DE DEFECTOS ES COMPUTACIONALMENTE EXIGENTE, PARA CIRCUITOS Y SISTEMAS COMPLEJOS DE SEÑALES ANALOGICAS Y MIXTAS (AMS), EL NUMERO DE DEFECTOS POSIBLES PUEDE SER MUY GRANDE Y SI LA EVALUACION DE CADA UNO DE LOS DEFECTOS REQUIERE UNA SIMULACION TRANSITORIA COMPLEJA, LA SIMULACION EXHAUSTIVA ES SIMPLEMENTE INABARCABLE, SE HAN PROPUESTO ENFOQUES ESTADISTICOS PARA ESTIMAR LA COBERTURA DE DEFECTOS, PERO UNA DE LAS PRINCIPALES DEFICIENCIAS DE ESTOS ENFOQUES ES LA VALIDACION EXPERIMENTAL, POR UN LADO, ES CASI IMPOSIBLE ACCEDER A LAS ESTADISTICAS DE DEFECTOS DE LAS PIEZAS COMERCIALES, YA QUE ESTOS DATOS SON MUY SENSIBLES EN CUANTO A LA IMAGEN DE LA EMPRESA, POR OTRA PARTE, TAMBIEN ES IMPOSIBLE FABRICAR (Y PROBAR) UNA CANTIDAD SUFICIENTE DE CIRCUITOS PARA OBTENER ESTADISTICAS FIABLES EN UN ENTORNO ACADEMICO, LOS SERVICIOS DE INTEGRACION DE EUROPRACTICE SUELEN DAR ACCESO A UNAS 50 PARTES, MUY POR DEBAJO DEL NIVEL DE PRODUCCION NECESARIO PARA ESTIMAR UNA TASA DE DEFECTOS DEL ORDEN DE DECENAS DE PPM,PARA ABORDAR ESTE PROBLEMA DE VALIDACION, EL PROYECTO PROPONE ADAPTAR EL MARCO DE LA EVALUACION ESTADISTICA DE LA COBERTURA DE DEFECTOS AL ESTUDIO DE LA SENSIBILIDAD DE LOS CIRCUITOS COMPLEJOS DE SEÑALES ANALOGICAS Y MIXTAS A LOS EVENTOS TRANSITORIOS INDUCIDOS POR LA RADIACION (SET), ESTOS DOS PARADIGMAS COMPARTEN ALGUNAS SIMILITUDES RELEVANTES: - LOS SETS PUEDEN SER VISTOS COMO DEFECTOS TRANSITORIOS, - ES USUAL CONSIDERAR EL IMPACTO DE UNA UNICA PARTICULA A LA VEZ, PARA LA SIMULACION DE DEFECTOS, TAMBIEN SE CONSIDERA ALTAMENTE IMPROBABLE OBTENER DOS DEFECTOS PUNTUALES EN EL MISMO DADO DE SILICIO, - DETERMINAR SI UNA DETERMINADA CARGA INYECTADA EN UN TRANSISTOR PRODUCE UN EFECTO RELEVANTE PARA LA OPERACION DEL CIRCUITO ES SIMILAR A DETERMINAR SI UNA DETERMINADA RESISTENCIA DE CORTO-CIRCUITO ENTRE DOS NODOS PRODUCE UN IMPACTO SUFICIENTE EN LA FIRMA DEL TEST DE MANERA QUE PUEDA SER ETIQUETADA COMO DETECTADA, EN AMBOS CASOS, ESTA PUEDE SER UNA FUNCION MUY NO-LINEAL DE LOS PARAMETROS DEL DEFECTO/SET,- EN AMBOS CASOS, UNA SIMULACION EXHAUSTIVA ES IMPOSIBLE PARA CIRCUITOS AMS COMPLEJOS, DEBIDO AL NUMERO DE PUNTOS DE INYECCION O A LA NATURALEZA CONTINUA DEL ESPACIO DE PARAMETROS, SIN EMBARGO, A EFECTOS DE VALIDACION, LA DIFERENCIA ENTRE LOS DOS PARADIGMAS ES NOTABLE Y PROPONEMOS APROVECHARLA, DADO QUE EL SET PUEDE CONSIDERARSE COMO UN DEFECTO TRANSITORIO, EL VOLUMEN PUEDE LOGRARSE MEDIANTE LA REPETICION DEL IMPACTO DE PARTICULAS EN UN SOLO DISPOSITIVO, ESTE PROYECTO ES, POR LO TANTO, UNA OPORTUNIDAD PARA FERTILIZAR ESTAS DOS AREAS: - SE DESARROLLARA UNA METODOLOGIA, BASADA EN LA SIMULACION ESTADISTICA DE DEFECTOS, PARA ESTIMAR LA SENSIBILIDAD DEL SET EN CIRCUITOS COMPLEJOS DE AMS, A PESAR DE LAS SIMILITUDES PRESENTADAS, ESTO NO ES UNA TAREA DIRECTA YA QUE EL MODELO DE SET DEBE SER PARAMETRIZADO CON PRECISION, ESTO SERIA EN SI MISMO UN LOGRO IMPORTANTE, PUESTO QUE LOS SETS SE ESTAN CONVIRTIENDO EN UNA PREOCUPACION IMPORTANTE EN LAS TECNOLOGIAS MAS ESCALADAS, - DISEÑAREMOS UN CHIP DE PRUEBA PARA SER IRRADIADO CON EL FIN DE ADQUIRIR ESTADISTICAS SET, DE ESTA MANERA, PODREMOS VALIDAR EXPERIMENTALMENTE LAS PREMISAS Y MEJORAS DEL MARCO DE SIMULACION ESTADISTIC TEST ORIENTADO A DEFECTOS\CIRCUITOS ANALÓGICOS Y DE SEÑAL MIXTA\RADIACIÓN\ESTADÍSTICA