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ENE2016-77798-C4-2-R

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APROVECHAMIENTO DE LA LUZ SOLAR CON PROCESOS DE DOS FOTONES-TF

ESTE PROYECTO, QUE AUNA EL TRABAJO DE CUATRO GRUPOS, APLICA A SISTEMAS FOTOVOLTAICOS, FOTOELECTROQUIMICOS, FOTOCATALITICOS Y FOTOLUMINISCENTES UN NUEVO ESQUEMA DE USO DE ENERGIA SOLAR QUE UTILIZA UN INTERVALO DEL ESPECTRO SOLAR MA... ver más

01/01/2016

UPV

121K€

Presupuesto del proyecto: 121K€

Líder del proyecto

UNIVERSITAT POLITÈCNICA DE VALÈNCIA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 688

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2016-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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UPV

Lider

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UNIVERSITAT POLITÈCNICA DE VALÈNCIA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 688

Presupuesto del proyecto 121K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto ESTE PROYECTO, QUE AUNA EL TRABAJO DE CUATRO GRUPOS, APLICA A SISTEMAS FOTOVOLTAICOS, FOTOELECTROQUIMICOS, FOTOCATALITICOS Y FOTOLUMINISCENTES UN NUEVO ESQUEMA DE USO DE ENERGIA SOLAR QUE UTILIZA UN INTERVALO DEL ESPECTRO SOLAR MAS AMPLIO QUE LOS SISTEMAS USUALES COMBINANDO DOS EXCITACIONES ELECTRONICAS PRODUCIDAS POR FOTONES DE ENERGIA RELATIVAMENTE BAJA PARA CONSEGUIR EXCITAR UN ELECTRON A UNA ENERGIA MAYOR QUE LA DE CADA UNO DE LOS DOS FOTONES ABSORBIDOS. ESTE PROCESO DE DOS FOTONES (TPP) ES SIMILAR AL QUE HAY TRAS LA FOTOSINTESIS NATURAL (EL ESQUEMA Z), PERO AÑADE LA POSIBILIDAD DE OBTENER LA EXCITACION TOTAL CON SOLO UN FOTON DE ENERGIA ADECUADA. SE TIENE ASI UN POTENCIAL ELECTRICO O QUIMICO IMPORTANTE, CON UN NUMERO DE ELECTRONES EXCITADOS MAYOR QUE EL QUE SE OBTENDRIA CON UN SEMICONDUCTOR TRADICIONAL.CON ESTE FIN EL PROYECTO USARA DIFERENTES MATERIALES, CENTRANDOSE EN PEROVSKITAS Y SISTEMAS COMPUESTOS OXIDO/SULFURO CON SUSTITUCION PARCIAL DE SUS CATIONES POR ELEMENTOS DE TRANSICION QUE, SEGUN CALCULOS CUANTICOS, PUEDEN GENERAR DENTRO DEL GAP UNA BANDA QUE PERMITE EL TPP. ESTOS SISTEMAS SE PROBARAN COMO CELDAS FOTOVOLTAICAS O FOTOELECTROQUIMICAS DE CAPA FINA, EN FORMA DE POLVO PARA GENERACION FOTOCATALITICA DE HIDROGENO O COMO CONVERTIDORES LUMINISCENTES DE FOTONES; SU EFICIENCIA SE MEDIRA CON METODOS RIGUROSOS Y SE INTERPRETARA CON UNA APROXIMACION TEORICO-EXPERIMENTAL. EL PROYECTO SE PROPONE TRASLADAR SUS RESULTADOS NO SOLO A PRODUCCION CIENTIFICA SINO TAMBIEN A SOLUCIONES DE ORIENTACION TECNOLOGICA VENTAJOSAS PARA LA SOCIEDAD USANDO CONTACTOS YA REALIZADOS CON VARIAS COMPAÑIAS INTERESADAS EN ESTA APROXIMACION.EN ESE PROYECTO CONJUNTO, ESTE SUBPROYECTO ABORDARA A SINTESIS DE DOS TIPOS DIFERENTES DE MATERIALES SEMICONDUCTORES QUE PERMITAN LA PROMOCION DE ELECTRONES DESDE LA BANDA DE VALENCIA A LA BANDA DE CONDUCCION UTILIZANDO LOS PROCESOS DE DOS FOTONES. LOS MATERIALES ELEGIDOS SON, RESPECTIVAMENTE, PEROVSKITAS HIBRIDAS Y SULFUROS EN PELICULA DELGADA CON LA BANDA PROHIBIDA ADECUADA PARA ACOGER UNA IGB. EN EL SUBPROYECTO SE SINTETIZARAN MATERIALES TIPO PEROVSKITAS CON DIFERENTES CATIONES ORGANICOS Y ANIONES HALUROS QUE CUMPLAN CON LOS REQUISITOS OPTIMOS DE BANDA PROHIBIDA PARA ALOJAR LA IGB Y ADEMAS SERAN COMPLETAMENTE CARACTERIZADOS. LA IGB ESPERADA SE OBTENDRA MEDIANTE UN PROCESO DE DOPADO CON LOS METALES DE TRANSICION ADECUADOS DE ACUERDO CON LOS RESULTADOS DE LOS CALCULOS CUANTICOS QUE SE REALIZARAN EN ESTE PROYECTO. TAMBIEN SE SINTETIZARAN OTROS SULFUROS DE PELICULA DELGADA PREVIAMENTE PROPUESTOS COMO MATERIALES CAPACES DE ALBERGAR UN IGB. EN EL CASO DE LOS SULFUROS SE ESTUDIARA EL DOPADO CON DIVERSOS METALES DE TRANSICION SUSCEPTIBLES DE CREAR LA DESEADA IGB. BASANDOSE EN LOS MATERIALES MENCIONADOS SE FABRICARAN DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS QUE SE ENSAMBLARAN USANDO LOS MATERIALES DE CONTACTO CON LAS PROPIEDADES OPTIMAS IDENTIFICADAS EN ESTE PROYECTO PARA PRODUCIR UN EFECTO FOTOVOLTAICO EFICIENTE. ADEMAS SE REALIZARAN SIMULACIONES NUMERICAS DE LOS DISPOSITIVOS PARA EVALUAR EL COMPORTAMIENTO ESPERADO. LOS DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS SERAN COMPLETAMENTE CARACTERIZADOS EN COLABORACION CON OTROS SOCIOS DE ESTE PROYECTO, PRIMERO CON LOS MATERIALES SIN IGB Y POSTERIORMENTE CON MATERIALES QUE CONTENGAN UNA IGB. SE ESPERA QUE LA EFICIENCIA DE FOTOCONVERSION DE DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS BASADOS EN MATERIALES CON IGB SERA MAYOR QUE EN DISPOSITIVOS CONSTRUIDOS CON EL MATERIAL EQUIVALENTE SIN IGB. OLAR ENERGY\SPECTROSCOPY\DFT\SULPHIDE/OXIDE COMPOSITES\PEROVSKITES\TWO-PHOTON PROCESS\LUMINESCENT MATERIALS\PHOTOCATALYSIS\PHOTOELECTROCHEMICAL\PHOTOVOLTAICS

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