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ALL2GaN

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Affordable smart GaN IC solutions as enabler of greener applications

ALL2GaN will be the backbone for the European Power Electronics Industry by offering an EU-born smart GaN Integration Toolbox. The project will provide the base for applications with significantly increased material- and energy ef... ver más

30/04/2026

IFAT

60M€

Presupuesto del proyecto: 60M€

Líder del proyecto

INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo HORIZON EUROPE notifico la concesión del proyecto el día 2023-05-01

HORIZON-KDT-JU-2022-1-IA-Focus-Topic-3: Design of Customisable and Domain S...

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Este proyecto no cuenta con búsquedas de partenariado abiertas en este momento.

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Participantes

IFAT

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Duración del proyecto: 35 meses Fecha Inicio: 2023-05-01
Fecha Fin: 2026-04-30

Líder del proyecto

INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5

Presupuesto del proyecto 60M€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto ALL2GaN will be the backbone for the European Power Electronics Industry by offering an EU-born smart GaN Integration Toolbox. The project will provide the base for applications with significantly increased material- and energy efficiency, thus meeting the global energy needs while keeping the CO2 footprint to the minimum.46 partners from 12 European countries will collaborate on 8 major objectives along the entire vertical value chain of power and RF electronics. O1: Push the limits of industrial GaN devices and system-on-chip approaches for ≤ 100V O2: Leverage the full potential of innovative substrates for GaN O3: Achieve novel benchmark solutions for lateral GaN devices and integrated circuits ≥ 650V O4: Reach best technical and cost performance of RF GaN on Si with novel integration concepts O5: Break the packaging limits by application driven integrated solutions of high performance GaN products O6: Advance the methods to evaluate and optimize reliability and robustness of GaN components, modules, and systems for shortest time-to-market and maximum product availability at the end user O7: Demonstrate highest affordable performance for greener power electronics and RF applicationsO8: Road-mapping for the future GaN technology development and applications to support long-term exploitation/business cases and European leadership beyond ALL2GaN.The collaboration in ALL2GaN is based on a work package structure covering activities on novel power- and RF-GaN technologies for various voltage classes, latest packaging technologies, research on reliability and demonstration in 11 Use Cases. With ambitious goals and a clear vision, ALL2GaN will unleash the energy saving and material efficiency potential of GaN semiconductors for a broad field of applications, thus being in line with the major challenges outlined in the ECS-SRIA. ALL2GaN technology will directly contribute to energy saving and cutting-edge green technology innovation as…Every Watt counts!

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