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TEC2008-05301

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: MODELOS AVANZADOS DE SIMULACION DE LOS EFECTOS DE LA TENSION MECANICA EN LOS P...

: MODELOS AVANZADOS DE SIMULACION DE LOS EFECTOS DE LA TENSION MECANICA EN LOS PROCESOS DE FABRICACION DE DISPOSITIVOS DE ULTIMA GENERACION BASADOS EN SI LA SIMULACION DE PROCESOS TECNOLOGICOS ES UNA HERRAMIENTA FUNDAMENTAL PARA EL DESARROLLO DE TECNOLOGIAS DE CIRCUITOS INTEGRADOS, DENTRO DE LAS TECNICAS DE SIMULACION, LA SIMULACION ATOMISTICA (BASADA EN EL METODO DE MONTE CARLO CI... ver más

01/01/2008

UVA

70K€

Presupuesto del proyecto: 70K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE VALLADOLID No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 997

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2008-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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UVA

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE VALLADOLID No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 997

Presupuesto del proyecto 70K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto LA SIMULACION DE PROCESOS TECNOLOGICOS ES UNA HERRAMIENTA FUNDAMENTAL PARA EL DESARROLLO DE TECNOLOGIAS DE CIRCUITOS INTEGRADOS, DENTRO DE LAS TECNICAS DE SIMULACION, LA SIMULACION ATOMISTICA (BASADA EN EL METODO DE MONTE CARLO CINETICO) ES UNA ALTERNATIVA EMERGENTE QUE PRESENTA VENTAJAS FRENTE A LOS SIMULADORES CONVENCIONALES (BASADOS EN MODELOS CONTINUOS), ESPECIALMENTE PARA LAS NUEVAS TECNOLOGIAS EN LAS QUE MULTITUD DE EFECTOS TIENEN LUGAR SIMULTANEAMENTE, ENTRE LOS FENOMENOS QUE ES NECESARIO MODELIZAR EN DETALLE SE ENCUENTRAN LOS EFECTOS PRODUCIDOS POR LA TENSION MECANICA (STRESS), LOS EFECTOS DE LA TENSION MECANICA SON ESPECIALMENTE IMPORTANTES EN LA ESCALA DE INTEGRACION DE 45 NM Y POSTERIORES, EN LAS QUE ES INTRODUCIDA INTENCIONADAMENTE DADO SUS EFECTOS BENEFICOS SOBRE LAS CARACTERISTICAS ELECTRICAS DE LOS DISPOSITIVOS,EN ESTE PROYECTO NOS PROPONEMOS DESARROLLAR MODELOS FISICOS DETALLADOS QUE DESCRIBAN LOS EFECTOS DE LA TENSION DURANTE LA FABRICACION DE CIRCUITOS INTEGRADOS E IMPLEMENTARLOS EN UN SIMULADOR ATOMISTICO, EN CONCRETO, PRETENDEMOS MODELIZAR: (1) LOS EFECTOS DE GEOMETRIAS DE TENSION ARBITRARIAS EN LA DINAMICA DE LOS DEFECTOS PUNTUALES Y DOPANTES, (2) LOS EFECTOS DE LA TENSION EN LA EVOLUCION DE LOS DEFECTOS EXTENSOS, (3) LA TENSION LOCAL GENERADA POR LOS PROPIOS DEFECTOS Y DOPANTES Y (4) EL PAPEL QUE DESEMPEÑA LA COMPOSICION QUIMICA DE LOS MATERIALES TENSORES, COMO SON SI:C, SIGE, SIGE:C Y SI:SN SOBRE LA DIFUSION Y DISOLUCION DE DEFECTOS,ESTOS MODELOS SERAN INCORPORADOS, DENTRO DEL MARCO DE ESTE PROYECTO, EN EL SIMULADOR ATOMISTICO DADOS DESARROLLADO POR NUESTRO GRUPO Y CALIBRADOS SEGUN LOS DATOS EXPERIMENTALES Y CALCULOS TEORICOS EXISTENTES EN LA BIBLIOGRAFIA, TODO ESTO NOS DEBE CONDUCIR A LA SIMULACION PREDICTIVA DE DISPOSITIVOS COMPLETOS DE ULTIMA GENERACION BASADOS EN MATERIALES TENSADOS, simulación atomística\circuitos integrados\procesos\KMC\tensión\SiGe

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